| 1 | Direct vapor phase growth process and robust photoluminescence properties of large area MoS2 layers显示文摘在那里在收获设备的光电子和精力的领域里在铝二硫化物的使用一直在种研究兴趣,由它的 indirect-to-direct 乐队差距 tunability 的优点。然而,获得大区域瞬间的薄电影 < 潜水艇 class= “ a-plus-plus ” > 为未来设备应用的 2 仍然是挑战。在现在的学习,先锋的数量(S 和哞 < 潜水艇 class= “ a-plus-plus ” > 3 ) 系统地被改变以便优化高度水晶、大的区域瞬间的生长 < 潜水艇 class= “ a-plus-plus ” > 由化学蒸汽免职方法的 2 层。先锋的数量的小心的控制在大区域的合成被发现到关键因素高度水晶的薄片。层的厚度被拉曼光谱学和原子力量显微镜学证实。光性质和化学作文被光致发光(PL ) 和 X 光检查光电子光谱学学习。在 1.82 eV 的强壮的直接激子的排出物的出现(A 激子,与 55 个 thout 事件的规范的 PL 紧张[1.84 ??? 隰酐鱠? 鎄颩 ???? 頿?? 鲰?? | V. Senthilkumar Le C. Tam Yong Soo Kim Yumin Sim Maeng-Je Seong Joon. I. Jang | 2014 | Nano Research2014，7，12： | 6 |
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