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3篇 您的检索式：作者名="Y.C.Cheng"

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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	Generation of Electron Traps at High Field in Silicon Oxide Films显示文摘Temperature dependences of the high-field electron trapping in a SiO_(2) thin film for temperature ranging from 100 to 423K are investigated.It is found that in the investigated temperature range,when the temperature decreases the effective surface density of the electron traps in the film decreases;the energy levels of the effective electron traps at high field concentrate at very narrow energy range.The thermal generation rate is found to be 1.283x10^(10)/cm^(2).K and its activation energy is 0.192eV.Based on these results,a model for the electron traps generated at high field in thin oxide is proposed.	B.L.Yang H.Wong Y.C.Cheng	1995	Chinese Physics Letters1995，12，7：	0
	2	利用分数几何学预测勘探成功率显示文摘用坎特集(合)理论预测勘探成功率的分数方法公式可以由油气发现的过程或发现时序的资料导出。利用来自加拿大西部沉积盆地的泥盆纪彩虹亚盆地的油气发现过程资料来说明这种新方法。随着勘探的进行,油气发现过程的成功率波动性较大,但具有非线性下降趋势。把一组成功率仅归因于确定井位的一个主导因素阻碍了成功率预测的普遍性,而采用本文提出的分数方法和样品数据对30个勘探井的成功率进行更合理的预测也许是可行的。我们以这一数据群对彩虹亚盆地1993年以后的成功率进行了预测,从而得出将钻探的30口勘探井的成功率大约为43%。	Y.C.CHENG J.LEE T.Y.LEE 贺连顺	2001	吐哈油气2001，0，1：	0
	3	Trap Behaviors of Constant Electric Field Stressing in Thin Oxynitride and Re-oxidized Oxynitride Films显示文摘The behaviors of constant electric field stressing of the thin(200Å)oxynitride and re-oxidized oxynitride films are investigated.The flat-band shift is not a simple function of the stressing field.The observed phenomena are attributed to the significance of trap filling,electronic tunneling and trap generation at different stressing field strengths.Re-oxidized sample is found to have high resistant to the electron tunneling and trap generation.	YANG Bingliang LIU Baiyong H.Wong Y.C.Cheng	1992	Chinese Physics Letters1992，9，9：	0

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