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| 1 | Improved mechanical properties and strengthening mechanism with the altered precipitate orientation in magnesium alloys显示文摘Aging prior to twinning deformation was proposed to alter the precipitate orientation of the plate-shapedβ-MgAlfrom(0002)basal planes(named basal plates)to■prismatic planes(named prismatic plates)in AZ31 Mg alloy.The experimental results showed that the compressive yield strength(CYS)of the sample containing prismatic plates increased 40 MPa and the compression ratio raised by 22%compared to that containing basal plates.The underlying strengthening mechanism was analyzed via a yield strengthen(YS)model with a function of grain size,precipitate characters(size,oritention,fraction)and Schmid factor(SF).It revealed that the improvement of CYS was mainly attributed to the altered precipitate orientation and refined grain size produced by twinning deformation.Particularly,the prismatic plates always have a stronger hardening effect on basal slip than basal plates under the same varites of precipitate diameter and SF.Besides,the decreased CRSS ratio of prismatic slip to basal slip revealed that the activity of non-basal slip in Mg alloy might be enhanced.More activated slip systems provided more mobile dislocations,contributing to the large compression ratio of the Mg rolled sheet with prismatic plates. | Y.J.Wan Y.Zeng Y.C.Dou D.C.Hu X.Y.Qian Q.Zeng K.X.Sun G.F.Quan | 2022 | Journal of Magnesium and Alloys2022，10，5： | 5 |
| 2 | 用于ULSI制造的等离子体浸没离子注入反应装置显示文摘一台用于集成电路制造的等离子体浸没离子注入反应装置(PⅢ:Plasma Immersion Ion Implantation)已研制成功。用此系统,实现了惰性气体等离子体金属吸杂、用SiF_4等离子体使样品预非晶化然后用BF_3等离子体掺杂形成亚-100nmP^+/N结、沟道保角P^+掺杂以及选择性铜无电镀Pd离子活化注入。 PⅢ系统由电子回旋共振等离子体源、带晶片偏压电源的处理室、带偏压电源的溅射靶、气体处理和等离子体诊断部件组成。本文将介绍该装置及等离子体特性和反应装置的性能。 | X.Y.Qian 孙洪涛 | 1991 | 微细加工技术1991，，4： | 0 |
| 3 | 用等离子体浸没离子注入制作亚100nmP^+/N结显示文摘采用等离子体浸没离子注入(PⅢ)技术,通过SiF_4预非晶化后进行BF_3掺杂制作了亚100nmP^+/n结。这种方法的掺杂率可高达10^(16)/cm^2·s。硅片浸没在SiF_4或BF_3等离子体中并加负偏压。带正电的离子由等离子体层内的电场加速后注入到硅片中。改变加在硅片支座上的负压及热退火的条件就可控制结深。 | X.Y.Qian 孙洪涛 | 1991 | 微细加工技术1991，，4： | 0 |
| 4 | 等离子体浸没离子注入技术用于沟槽掺杂的保角注入显示文摘利用等离子体浸没离子注入(PⅢ)的束发散角适中这一优点,我们在高深宽比的Si沟槽中进行了硼的保角掺杂。结染色后用扫描电镜(SEM)观察了深宽比达6:1的沟槽侧壁和底部的均匀掺杂P^+层。 为了试验这种保角掺杂技术的极限,用类似的PⅢ条件对用Si片制作的深宽比特别高的肉眼可见的沟槽模型(宽0.5mm,深12.5mm)进行注入,快速热退火后,用四探针法测定了沿沟槽顶部和侧壁的方块电阻。沟槽侧壁的平均方块电阻是顶部方块电阻的二倍左右。侧壁方块电阻与平均值相比的偏差为±60%。 | X.Y.Qian 孙洪涛 | 1991 | 微细加工技术1991，，4： | 0 |
| 5 | 等离子体浸没Pd离子注入为选择性Cu无电镀形成活化图形显示文摘应用等离子体浸没Pd离子注入技术和Cu无电镀实现了Cu互连的选择性电镀。Pd原子从带负电压的靶上被溅射出来,然后在ArECR等离子体中电离成离子并注入到带负脉冲高压的SiO_2基片中。本研究发现:Cu电镀所需的Pd活化剂剂量为5×10^(14)/cm^2量级;直接的Pd PⅢ注入,可省去通常的使用PdCl_2溶液的中间活化步骤。 | X.Y.Qian 唐景庭 | 1991 | 微细加工技术1991，，4： | 0 |
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