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3篇 您的检索式：作者名="WOJCIECH KNAP"

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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	Terahertz Emission and Detection by Plasma Waves in Nanometer Size Field Effect Transistors显示文摘	WOJCIECH KNAP JERZY LUSAKOWSKI FREDERIC TEPPE	2006	IEICE Trans Electron2006，89，7：	1
	2	基于场效应晶体管的太赫兹探测器中天线设计的一种有效方法(英文)显示文摘在场效应晶体管太赫兹探测器中,合理的天线设计可以增强晶体管和太赫兹波之间的耦合效率,从而提高太赫兹探测器的响应度.提出一种基于晶体管栅极边缘沟道电场的仿真来设计平面天线的方法.这种方法尤其适用于太赫兹波段晶体管输入阻抗不容易得到的情况.通过流片完成的基于氮化镓高电子迁移率晶体管的太赫兹探测器的响应度测试证实了这种方法的有效性.集成碟形天线和双偶极子天线的太赫兹探测器最大响应度分别在170.7 GHz(1568.4 V/W)和124.3 GHz(1047.2 V/W)频点处测得,这个测试结果接近基于晶体管栅极边缘沟道电场的仿真结果.	张博文颜伟李兆峰白龙 Grzegorz Cywinski Ivan Yahniuk Krzesimir Szkudlarek Czeslaw Skierbiszewski Jacek Przybytek Dmytro B.But Dominique Coquillat Wojciech Knap 杨富华	2018	红外与毫米波学报2018，37，4：	0
	3	Surface Leakage Currents in SiN and Al_2O_3 Passivated AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors显示文摘Surface leakage currents of AlGaN/GaN high electron mobility transistors are investigated by utihzing a circular double-gate structure to eliminate the influence of mesa leakage current.Different mechanisms are found under various passivation conditions.The mechanism of the surface leakage current with Al_2O_3 passivation follows the two-dimensional variable range hopping model,while the mechanism of the surface leakage current with SiN passivation follows the Frenkel-Poole trap assisted emission.Two trap levels are found in the trap-assisted emission.One trap level has a barrier height of 0.22 eV for the high electric Geld,and the other trap level has a barrier height of 0.12 eV for the low electric field.	白龙颜伟李兆峰杨香张博文田丽欣张峰 Grzegorz Cywinski Krzesimir Szkudlarek Czeslaw Skierbiszewski Wojciech Knap 杨富华	2016	Chinese Physics Letters2016，33，6：	0

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