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时间 1989 - 2010 学科选择学科
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14篇 您的检索式：作者名="VENNEGUES P"
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    题名 作者 年代 出处 被引量
1Reduction Mechanisms for Defect Densities in GaN Using One- or Two-step Epitaxial Lateral Overgrowth Methods显示文摘Vennegues P Beaumont B Bousquet V 2000Journal of Applied Phyics2000，87，：1
2Non-polar a -plane ZnMgO/ZnO quantum wells grown by molecular beam epitaxy显示文摘J-M Chauveau M Laügt P Venneguès M Teisseire B Lo C Deparis C Morhain B Vinter 2008Semiconductor Science and Technology2008，，3：1
3Physical characterization of molybdenum oxycarbide catalyst;TEM, XRD and XPS 显示文摘DELPORTE P MEUNIER F PHAM-HUU C VENNEGUES P LEDOUX M J GUILLE J 1995Catal Today1995，23，3：1
4Epitaxial lateral overgrowth of GaN on Si(111)显示文摘FELTIN E BEAUMONT B VENNEGUES P 2003J Cryst Growth2003，93，1：1
5Epitaxial lateral overgrowth of GaN 显示文摘BEAUMONT B VENNEGUES P GIBART P 2001Physica Status Solidi (b)2001，227，1：1
6显示文摘Feltin E Beaumont B Vennegues P 2003J Appl Phys2003，93，：1
7Reduction Mechanisms for Defect Densities in GaN Using One-or Two- step Epitaxial Lateral Overgrowth Methods 显示文摘Vennegues P Beaumont B Bousquet V 2000Journal of Applied Physics2000，87，9：1
8Microstructure of GaN epitaxial films at different stages of the growth on sapphire (0001)显示文摘VENNEGUES P BEAUMONT B VAILLE M 1997J Crystal growth1997，173，：1
9In situ growth monitoring of distributed GaN-AlGaN Bragg reflectors by metalorganic vapor phase epitaxy显示文摘Schenk H P D Mierry P de Vennegues P 2002Appl Phys Lett2002，80，2：1
10Epitaxial lateral overgrowth of GaN on Si (111) 显示文摘FELTIN E BEAUMONT B VENNEGUES P 2003J Cryst Growth2003，93，1：1
11Physical characterization of molybdenum oxycarbide catalyst:TEM,XRD and XPS显示文摘DELPORTE P MEUNIER F PHAMHUU C VENNEGUES P LEDOUX M J GUILLE J 1995Catal Today1995，23，3：1
12Epi- taxial lateral overgrowth of GaN on Si (111) 显示文摘FELTIN E BEAUMONT B VENNEGUES P 2003J Cryst Growth2003，93，1：1
13Three-dimensionally nucleated growth of gallium nitride by lowpressure metalorganic vapour phase epitaxy显示文摘SCHENK H P D VENNEGUES P TOTTEREAUA O 2003J Crystal Growth2003，258，：1
14显示文摘Lahreche H Vennegues P Tottereau O 2000J Cryst Growth2000，217，：1
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