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2篇 您的检索式：作者名="Theodore I.KAMINS"

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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	High speed optical modulation in Ge quantum wells using quantum confined stark effect显示文摘我们集中于 SiGe 材料免职,为高速度的探查垫的寄生电容的最小化,低电压和高对比的优化比率操作。设备制造为标准 Si 电子学基于过程并且对大量生产合适。我们量监禁和限制量的空效果(QCSE ) 的现在的观察在有在 Si 底层上种的 SiGe 障碍的 Ge 量井(QW ) 的 electroabsorption。尽管 Ge 是一个间接差距半导体,产生效果作为至少作为清楚、强壮在类似的波长在典型 III-V QWstructures 看。我们也表明了一个调节的人,与在大约 10 GHz 的多达 3.5 GHz, 2.5 V 的小开车电压和调整带宽的眼睛图。最后,在极端快的激光刺激下面的搬运人动力学和高速度的光电流反应被调查。	Yiwen RONG Yijie HUO Edward T.FE Marco FIORENTINO Michael R.T.TAN Tomasz OCHALSKI Guillaume HUYET Lars THYLEN Marek CHACINSKI Theodore I.KAMINS James S.HARRIS	2012	Frontiers of Optoelectronics2012，5，1：	0
	2	MBE growth of tensile-strained Ge quantum wells anC quantum dots显示文摘	Yijie HUO Hai LIN Robert CHEN Yiwen RONG Theodore I.KAMINS James S.HARRIS	2012	Frontiers of Optoelectronics2012，5，1：	0

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