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11篇 您的检索式：作者名="Teetsov"

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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	Micro-structural origin of leakage current in GaN/lnGaN light-e-mitting diodes 显示文摘	Cao X Teetsov J Shahedipour-Sandvik F	2004	Journal ofCrystalGrowth2004，264，1：	1
	2	Imaging molecular and nanoscale order in conjugated polymer thin films with near-field scanning optical microscopy显示文摘	Teetsov J A Vanden Bout D A	2001	J Am Chem Soc2001，123，15：	1
	3	Photophysical Characterization of Dilute Solutions and Ordered Thin Films of Alkyl-substituted Polyfluorenes显示文摘	TEETSOV J FOX M A	1999	Journal of Materials Chemistry1999，9，9：	1
	4	IIT research institute, Chicago, illinois显示文摘	Brown J A and Teetsov A	1976	SEM1976，1，：	1
	5	A role for airborne particulates in high mercury levels of some cetaceans显示文摘	Rawson A J Bradley J P Teetsov A		0，，：	1
	6	Colloid Formarion During Waste Form Reaction: Implications for Nuclear Waste Disposal显示文摘	Bates J K Bradley J P Teetsov A	1992	Science1992，256，：	1
	7	Structural properties of alloyed Ti/A1/Ti/Au and Ti/A1/ Mo/Au ohmic contacts to AIGaN/GaN 显示文摘	Alexei Vertiatchikh Ed Kaminsky Julie Teetsov	2006	Solid-State Electronics2006，，78：	1
	8	Colloid formation during waste form reaction - implications for nuclear waste disposal 显示文摘	Bates J K Bradley J P Teetsov A	1992	Science1992，，256：	1
	9	Microstructural origin of leakage current in GaN/In GaN light-emitting diodes显示文摘	CAO X A TEETSOV J A SHAHEDIPOUR-SANDVIK F	2004	J Cryst Growth2004，264，123：	1
	10	显示文摘	Cao X A Teetsov J M D'Evelyn M P	2004	Appl Phys Lett2004，85，1：	1
	11	Microstructural origin of leakage current in GaN/InGaN light-emitting diodes显示文摘	Cao X Teetsov J Shahedipour-Sandvik F	2004	Journal of Crystal Growth2004，264，1：	1

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