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1篇 您的检索式：作者名="Tabitha M.Cook"

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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	金属氧化物与现代微电子学——过渡金属前体化合物及转化为材料的化学过程(英文)显示文摘金属氧化物薄膜如HfO_2(被称为高k电介质)是现代微电子器件的关键组件,广泛用于计算机(平板电脑,笔记本电脑和台式机)、智能电话、智能电视、汽车和医疗设备中。具有大介电常数(k)的金属氧化物已经取代了介电常数小的SiO_2(k=3.9),从而使得微电子元件进一步小型化。过渡金属化合物在化学气相沉积(CVD)和原子层沉积(ALD)中被广泛用作前体,通过与O2、H_2O或O_3的反应生成金属氧化物薄膜。微电子金属氧化物膜是纳米材料最广泛应用的一个领域。本文概观该领域的最新进展,包括我们对d0过渡金属配合物与O_2反应的研究。	Tabitha M.Cook Adam C.Lamb 薛子陵	2017	无机化学学报2017，33，11：	1

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