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12篇 您的检索式：作者名="Sysoev S V"

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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	Single-crystal organic field effect transistors with the hole mobility similar to 8 cm (2)/Vs显示文摘	PODZOROV V SYSOEV S E LOGINOVA E	2003	J Appl Phys2003，83，17：	1
	2	显示文摘	Podzorov V Sysoev S E Loglnova E	2003	Appl Phys Lett2003，83，17：	1
	3	Hydrogen Chloride Desorption From The Chlorinated Silane Solutions 显示文摘	Borisova L A Sysoev S V Titov V A	2006	Chem Sust Dev2006，，14：	1
	4	Single - crystal organic field effect transistors with the hole mobility -8 cm2/Vs 显示文摘	Podzorov V Sysoev S E Loginova E Pudalov V M	2003	Appl Phys Lett2003，83，：	1
	5	Thermodynamic simulation of silicon deposition from the gas phase of Si-C1-H system显示文摘	CHERNYAVSKY L I TITOV V A SYSOEV S V RYZHENKOV S V	2009	Neorganichekie Materialy2009，45，5：	1
	6	Thermodynamic simulation of silicon deposition from the gas phase of Si-Cl-H system显示文摘	CHERNYAVSKY L I TITOV V A SYSOEV S V	2009	Neorganichekie Materialy2009，45，5：	1
	7	Standard enthalpies of formation and metal-ligand bond dissociation enthalpies of some lead(Ⅱ)β-diketonates显示文摘	Krisyuk V V Sysoev S V	1997	Thermochimica Aata1997，307，：	1
	8	Standard enthalpies of formation and metal-ligand bond dissociation enthalpies of some lead ( Ⅱ ) β-diketonates显示文摘	Krisyuk V V Sysoev S V		0，，：	1
	9	Hydrogen Chloride Desorption From The Chlorinated Silane Solutions 显示文摘	Borisova L A Sysoev S V Titov V A	2006	Chem Sust Dev2006，，14：	1
	10	Singlecrystal organic field effect transistors with the hole mobility - 8 cm^2/Vs 显示文摘	Podzorov V Sysoev S E Loginova E	2003	Appl Phys Lett2003，83，：	1
	11	Particulars of polycrystalline oxide ceramic creep at temperatures to 1600 ℃ 显示文摘	Bakunov V S Lukin E S Sysoev e P	2012	Glass and Ceramics2012，69，12：	1
	12	Singlecrystal organic field effect transistors with the hole mobility - 8 cm^2/Vs 显示文摘	Podzorov V Sysoev S E Loginova E	2003	Appl Phys Lett2003，83，：	1

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