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10篇 您的检索式：作者名="Sandvik P M"

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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	Characteristics of lath martensite: Part Ⅰ Crytallographic and substructural features显示文摘	Wayman C M	1982	Metall Trans A1982，14，：	1
	2	Defect generation in InGaN/GaN light-emitting diodes under forward and reverse electrical stresses显示文摘	CAO X A SANDVIK P M LEBOEUF S F	2003	Microelectronics Reliability2003，43，：	1
	3	Characteristics of lath martensite:Part I Crytallographic and substructural features显示文摘	SANDVIK B P WAYMAN C M	1982	Metallurgical transactions A1982，，5：	1
	4	Diffusion and tunneling currents in GaN/InGaN multiple quantum well light-emitting diodes显示文摘	Cao X A Stokes E B Sandvik P M	2002	IEEE Electron Device Letters2002，23，9：	1
	5	Diffusion and tunneling currents in GaN/InGaN multiple quantum well light-emitting diodes 显示文摘	Cao X A Stokes E B Sandvik P M	2002	IEEE Electron Device Letters2002，23，9：	1
	6	Defect generation in InGaN/GaN light-emitting diodes under forward and reverse electrical stresses 显示文摘	Cao X A Sandvik P M LeBoeuf S F	2003	Microelec- tronics Reliability2003，43，：	1
	7	Diffusion and tunneling currents in GaN/InGaN multiple quantum well light-emitting diodes 显示文摘	Cao X A Stokes E B Sandvik P M	2002	IEEE Electron Device Letters2002，23，9：	1
	8	The cellular localization of the eholecystokinin 2 (gastrin) receptor in the stomach 显示文摘	Waldum H L Kleveland P M Sandvik A K	2002	Pharmcol Toxicol2002，91，6：	1
	9	Some Crystallographic Characteristics of the(252)f martensite transformation in Fe - alloys显示文摘	Sandvik B P J Wayrnan C M	1983	Metall Trans1983，14，：	1
	10	Diffu-sion and tunneling currents in GaN/InGaN multiple quan-tum well light-emitting diodes 显示文摘	CAO X A STOKES EB SANDVIK P M	2002	IEEE Electron De-vice Letters2002，23，9：	1

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