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9篇 您的检索式：作者名="STOEMENOS J"

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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	Amorphization and Recrystallization of 6H-SiC by Ion-beam Irradiation显示文摘	Heera V Stoemenos J Kogler R	1995	Journal of Applied Physics1995，77，7：	1
	2	Amorphization and recrystallization of 6H-SiC by ion-beam irradiation显示文摘	Heera V Stoemenos J Kgler R	1995	Journal of Applied Physics1995，77，7：	1
	3	Mode of growth and microstructure of polycrystalline silicon obtained by solid-phase crystallization of an amorphous silicon film显示文摘	Haji L Joubert P Stoemenos J	1994	J Appl Phys1994，75，8：	1
	4	Excimer laser annealing of amorphous and solid-phase-crystallized silicon films 显示文摘	Miyasaka M Stoemenos J	1999	Journal Of Applied Physic1999，86，：	1
	5	Reduced Defeet Density in Silicon on Insulator Structures Formed by Oxygen Implantation in Two Steps 显示文摘	Margail J Stoemenos J Jaussaud C	1989	Appl Phys Lett1989，54，6：	1
	6	The Evolution of Cavities in Si at the 3C-SiC/Si Interface during 3C-SiC Deposition by LPCVD显示文摘	Papaioannou V Moller H Rapp M Veoglmeier L Eickhoff M Krotz G Stoemenos J	1999	Materials Science and Engineering B-solid State Materials for Advanced Technology1999，612，：	1
	7	Microstructure of Polycrystalline Silicon Films Obtained by Combined Furnace and Laser Annealing显示文摘	Carluccio R Stoemenos J Fortunato G	1995	Appl Phys Lett1995，66，11：	1
	8	Mechanism of buried β-SiC formation by implanted carbon in silicon显示文摘	REESON K J STOEMENOS I HEMMENT P L F	1990	Thin Solid Films1990，191，1：	1
	9	SiC buried layer formation by ion beam synthesis at 950 ℃ 显示文摘	NEJIM HEMMENT P L F STOEMENOS J	1995	Appl Phys Lett1995，66，20：	1

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