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1篇 您的检索式：作者名="Ruby A.Lai"

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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	Double-sided transistor device processability of carrierless ultrathin silicon wafers显示文摘Double-sided metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor processing is demonstrated for the first time on an ultrathin crystalline silicon substrate of 6-20μm in a 100 mm diameter wafer format without a carrier wafer,the thinnest freestanding silicon wafers ever fabricated.The compatibility of the flexible material with conventional semiconductor processing tools is enabled by supporting an interior ultrathin silicon with a surrounding thicker ring of silicon.Currentvoltage characteristics of transistors on ultrathin silicon show performance as expected from bulk silicon,with electron mobility^1500 cm^2 V^−1 second^−1.Mechanical measurements quantify the handleability.	Ruby A.Lai Thomas M.Hymel Bofei Liu Yi Cui	2020	InfoMat2020，2，4：	1

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