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时间 1989 - 2010 学科选择学科
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12篇 您的检索式：作者名="RAMSTEIN P"
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    题名 作者 年代 出处 被引量
1Nitride Semiconductors Free of Electrostatic Fields for Efficient White Light-emitting Diodes 显示文摘Waltereit P Brandt O Trampert A Grahn H T Menniger J Ramsteiner M Reiche M Ploog K H 2000Nature2000，406，：1
2In-vivo metabolism of epothilone B in tumor-bearing nude mice: identification of three new epothilone B metabolites by capillary LC-MS-MS 显示文摘BLUM W AICHHOLZ R RAMSTEIN P 2001Rapid Commun Mass Spectrom2001，15，5：1
3In vivo metabolism of epothilone B in tumor-bearingnude mice: identication of three new epothilone B metabolites by capillary high- pressure liquid chromatography/mass spectrometry/tandem massspectrometry 显示文摘Blum W Aichholz R Ramstein P 2001Rapid Commun Mass Spectrom2001，15，1：1
4In Vivo metabolism of epothilone B in tumor-bearing nude mice: identification of three new epothilone B metabolites by capillary high- pressure liquid chromatography/mass spectrometry/tandem mass spectrometry 显示文摘Blum W Aichholz R Ramstein P 2001Rapid Commun Mass Spectrom2001，15，1：1
5In vivo metabolism of epothilone B in tumor-bearing nudemice : identification of three new epothilone B metabolites by capillary LC-MS-MS 显示文摘BLUM W AICHHOLZ R RAMSTEIN P 2001Rapid Commun Mass Spectrom2001，15，1：1
6M-plane GaN (1100) Grown on γ-LiAlO2(100): Nitride Semiconductors Free of Internal Electrostatic Fields 显示文摘Waltereit P Brandt O Ramsteiner M Trampert A Grahn H T Menniger J Reiche M Ploog K H 2001Journal of Crystal Growth2001，227，228：1
7Growth of M-GaN(1-100) on γ-LiAlO2(100)显示文摘Waltereit P Brandt O Ramsteiner M 2000Journal of Crystal Growth2000，218，：1
8Tropical paleoclimates at the Last Glacial Maximum: Comparison of Paleoclimate Modeling lntercomparison Project (PMIP) simulations and paleodata 显示文摘Pinot S Ramstein G Harrison S P 1999Climate Dynamics1999，15，：1
9Growth of M-Plane GaN (1100) : A Way to Evade Electrical Polarization in Nitrides显示文摘Waltereit P Brandt O Ramsteiner M 2000Journal of Physics State Solid A2000，180，：1
10M-plane GaN Grown on y-LiAlO2 (100) : Nitride Semiconductors Free of Internal Electrostatic Fields显示文摘Wahereit P Brandt O Ramsteiner M 2001Journal of Crystal Growth2001，227，：1
11Nitride Semiconductors Free of Electrostatic Fields for Efficient White Light-emitting Diodes 显示文摘Waltereit P Brandt O Trampert A Grahn H T Menniger J Ramsteiner M Reiche M Ploog K H 2000Nature2000，406，：1
12M-plane GaN (1100) Grown on γ-LiAlO2(100) :Nitride Semiconductors Free of Internal Electrostatic Fields 显示文摘Waltereit P Brandt O Ramsteiner M Trampert A Grahn H T Menniger J Reiche M Ploog K H 2001Journal of Crystal Growth2001，，：1
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