| 2 | 新颖的超高真空CVD外延设备与低温低压硅外延研究显示文摘为实现低温低压外延新工艺,建立了一台具有多项原位监控功能的新颖的超高真空CVD(chemicalvapordeposition)外延设备,并用此设备,(100)和(111)硅片分别在550℃和650℃下由硅烷热解法成功地生长了硅外延层。高分辨率的横断面透射电镜(XTEM)照片表明,低温硅外延层中存在一些缺陷,这些缺陷都由衬底表面引起的,然后扩展进入外延层。此外,衬底{100}Si和{111}Si因晶向不同,不仅获得外延层所需的最低温度不同,而且外延层中的缺陷特征差异也很大。 | 叶志镇 Z.H.Zhou R.Reif | 1994 | 真空科学与技术1994，14，5： | 0 |
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