5篇
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| 1 | 紫外发光的半导体Mg_xZn_(1-x)O薄膜制备与性质显示文摘利用ZnO微晶粉末以化学电泳法成功地在导电玻璃上制备了不同x值的紫外发光的宽禁带氧化物半导体三元化合物MgxZn1-xO薄膜.电子显微镜和X射线衍射研究显示,薄膜由MgxZn1-xO微晶组成,薄膜中微晶大小的分散度比ZnO粉末有所减小,并更具择优取向的趋势.室温下光致发光测量给出,MgxZn1-xO薄膜在小于380nm的紫外波段出现较强的半宽小于20nm的激子性发光峰,而且带边峰的半宽以及带边峰与杂质缺陷峰强度之比均较原始的ZnO粉末有明显改善,表明这种MgxZn1-xO薄膜具有优良的紫外发光特性. | 金艳波 章蓓 王永忠 陈 晶 张会珍 曹昌其 杨述明 黄春辉 H.Cao R.P.H.Chang | 2002 | 红外与毫米波学报2002，21，z1： | 3 |
| 2 | XRD对ZnO薄膜生长条件和退火工艺的优化显示文摘利用等离子体MOCVD设备在 (0 0 1)蓝宝石上生长了ZnO薄膜。通过对在不同条件下生长的薄膜样品X射线衍射的测量和分析 ,优化了薄膜的生长条件 ,长出了半高宽仅为 0 .15°的单一取向的高质量ZnO薄膜 ,并发现生长过程中多次退火或掺氮在薄膜中引入了张应力 ,而生长结束后一次退火却引入了压应力。 | 王金忠 闫玮 王新强 殷景志 姜秀英 杨树人 杜国同 高鼎三 Xiang Liu Hui Cao Junying Xu R.P.H.Chang | 2001 | 半导体光电2001，22，3： | 3 |
| 3 | AlGaAs短波长超辐射集成光源显示文摘设计了一种新型半导体集成光源AlGaAs短波长超辐射集成光源。器件为单量子阱、增益导引的氧化物条形结构,采用直接耦合方式将超辐射发光管与光放大器集成在一起,在脉冲条件下获得了输出功率为57mW的超辐射,谱线宽度(FWHM)为20nm,放大器的增益为21dB。 | 赵永生 孙中哲 李雪梅 宋俊峰 王之岭 姜秀英 杜国同 GregoryDevane KathleenA.Stair R.P.H.Chang | 1998 | 光学学报1998，18，6： | 0 |
| 4 | GaAlAs高功率短波长超辐射集成光源显示文摘为解决超辐射发光管输出功率低的问题,利用半导体锥形光放大器对超辐射光加以放大,并采用直接耦合方式将超辐射发光管与半导体锥形光放大器进行单片集成,器件初步采用了GaAlAs SQW双异质结和氧化物条形增益波导结构。实验结果表明,该器件的锥形放大器可将超辐射发光管发出的光放大22dB,在脉冲条件下超辐射输出功率达580mW。 | 赵永生 杜国同 韩伟华 付艳萍 李雪梅 宋俊峰 姜秀英 高鼎三 Gregory Devane Kathleen A.Stair R.P.H.Chang | 1998 | 自然科学进展(国家重点实验室通讯)1998，8，4： | 0 |
| 5 | AlGaAs high-power short-wavelength superluminescent integrated source | 赵永生 杜国同 韩伟华 付艳萍 李雪梅 宋俊峰 姜秀英 高鼎三 G.Devane K.A.Stair R.P.H.Chang | 1998 | Progress in Natural Science:Materials International1998，8，5： | 0 |
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