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| 1 | Electronic properties of wurtzite GaAs: A correlated structural, optical, and theoretical analysis of the same polytypic GaAs nanowire显示文摘III-V 复合半导体 nanowires 被 zincblende 和 wurtzite 结构的共存通常描绘。到目前为止,这 polytypism 阻碍了 GaAs 的亚稳的 wurtzite 阶段的电子性质的决心,它因此仍然保持高度争论。以获得新卓见进这个话题,我们跨相互关联的 nanoscale 光谱由有一样的 polytypic GaAs nanowire 的传播电子显微镜学分析的近地的扫描光显微镜学的成像分散了到 Si 晶片上。因此,空间地决定光致发光系列能明白地被分到其结构与解决格子的精确性被知道的 nanowire 片断。1.528 eV 的一个排放精力从扩大 zincblende 片断被观察,表明驱散的 nanowire 由于和它的支持的底层的相互作用大概在单轴的紧张下面。这些关键信息和为扩大纯 wurtzite 片断获得的排放精力被用来在一个 wurtzite 矩阵以及反的结构执行 zincblende 量磁盘的信封功能计算。在这些计算,我们改变了基本 bandgap,电子质量,和在 zincblende 和 wurtzite GaAs 之间的乐队偏移量。从有试验性的数据的这多参数比较,我们推断在 8 传导和一个原子价乐队之间的 bandgap 在没有紧张的 wurtzite GaAs 从 1.532 ~ 1.539 eV ,并且为 7-A bandgap 估计了 1.507 ~ 1.514 eV 的价值。 | Alexander Senichev Pierre Corfdir Oliver Brandt Manfred Ramsteiner Steffen Breuer Jorg Schilling Lutz Geelhaar Peter Werner | 2018 | Nano Research2018，11，9： | 2 |
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