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11篇 您的检索式：作者名="PASKOVA T"

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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	Defect and stress relaxation in HVPE-GaN films using high temperature reactively sputtered AlN buffer显示文摘	PASKOVA T VALCHEVA E BIRCHA J	2001	J Cryst Growth2001，230，34：	1
	2	Low-cycle fatigue of plain and fiber-reinforced concrete显示文摘	Meyer C	1997	ACI Materials Journal1997，，4：	1
	3	Thick hydride vapour phase epitaxial GaN layers grown on sapphire with different buffers显示文摘	Paskova T Birch J Tungasmita S	1999	Phys Stat Sol (A)1999，，：	1
	4	GaN substrates for Ⅲ-nitride devices显示文摘	PASKOVA T HANSER D A EVANS K R	2010	Proceedings of the IEEE2010，98，7：	1
	5	Structural characteristics and lattice parameters of hydride vapor phase epitaxial GaN free-standing quasisubstrates 显示文摘	DARAKCHIEVA V PASKOVA T PASKOV P	2005	J ApplPhys2005，97，01：	1
	6	Low-cycle fatigue of plain and fiberreinforced concrete显示文摘	Meyer C	1997	Aci Materials Journal1997，，4：	1
	7	Energy position of near-band-edge emission spectra of InN epitaxial layers with different doping levels显示文摘	ARNAUDOV B PASKOVA T PASKOV P P		0，，11：	1
	8	Free-to-bound radiative recombinationin highly conducting InN epitaxial layers显示文摘	ARNAUDOV B PASKOVA T PASKOV P P		0，，4：	1
	9	GaN substrates for III-Nitride devices 显示文摘	PASKOVA T Y HANSER D A EVANS K R	2010	IEEE Electron Device Letters2010，98，7：	1
	10	Low-cycle fatigue of plain and fiber- reinforced concrete 显示文摘	PASKOVA T MEYER C	1997	ACI Materials Journal1997，94，4：	1
	11	Defect and stress relaxation in HVPE-GaN films using high temperature reactively sputtered AlN buffer显示文摘	PASKOVA T VALCHEVA E BIRCH J	2001	Journal of Crystal Growth2001，230，34：	1

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