| 1 | 几种半导体在高压下的金属化相变显示文摘在金刚石压砧装置上,采用我们建立的电阻测量方法,研究了半导体InP0.97As0.03、InP0.5As0.5、Ga0.76In0.24As和Ga0.24In0.76As在室温下、16GPa内的电阻与压力的关系。工作中,对测量技术进行了一些改进,采用微机进行测量控制和数据记录。实验结果表明,这些样品在测量的压力范围内,均发生了金属化相变。它们的相变压力分别为:10.3、9.7、13.5~14.6和10~10.4GPa左右。 | 鲍忠兴 C.-S.TU J.R.ANDERSON V.H.SCHMIDT N.J.PINTO | 1996 | 高压物理学报1996，10，1： | 1 |
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