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10篇 您的检索式：作者名="Moram M"

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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	Chemical and physical analysis of acetate-oxide sol-gel processing mutes for the Y-Ba-Cu-O system显示文摘	Mouganie T Moram M Sumner J	2005	JoumalofSol-Gel ScienceandTechnology2005，36，1：	1
	2	Low dislocation density nonpolar (1120) GaN films achieved using scandium nitride interlayers显示文摘	Moram M A Kappers M J Humphreys C J	2010	Physica Status Solidi (c)2010，7，：	1
	3	X-ray diffraction of Ⅲ nitrides显示文摘	M A Moram M E Viekers	2009	Reports on progress in physics2009，72，：	1
	4	Accurate experi- mental determination of the Poisson's ratio of GaN using high-res- olution X-ray diffraction 显示文摘	Moram M A Barber Z H Humphreys C J	2007	Journal of Applied Physics2007，102，02：	1
	5	Growth of dislocation-free GaN islands on Si ( 111 ) using a scandium nitride buffer layer 显示文摘	MORAM M A KAPPERS M J JOYCE T B	2007	J Cryst Growth2007，308，2：	1
	6	Chemicaland physical analysis of acetate -oxide sol -gel processingroutes for the Y-Ba-Cu-O system显示文摘	MOUGANIE T MORAM M A SUMNER J	2005	Journal of Sol-Gel Scienceand Technology2005，36，1：	1
	7	On the Origin of Threading Dislocations in Ga N Films显示文摘	Moram M A Ghedia C S Rao D V S	2009	Journal of Applied Physics2009，106，07：	1
	8	The Effects of Si Doping on Dislocation Movement and Tensile Stress in Ga N Films显示文摘	Moram M A Kappers M J Massabuau F	2011	Journal of Applied Physics2011，109，07：	1
	9	Chemical and physical analysis of acetate-oxide sol-gel processing routes for the Y-Ba-Cu-O system显示文摘	MOUGANIE T MORAM M SUMNER J	2005	Journal of Sol-Gel Science and Technology2005，36，1：	1
	10	The effects of Si doping on dislocation movement andtensile stress in GaN films 显示文摘	MORAM M A KAPPERS M J MASSABUAU F etal	2011	Journal of AppliedPhysics2011，109，7：	1

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