维普期刊资源整合服务平台（V6.5）

维普中文期刊产品整合服务

2篇 您的检索式：作者名="Mathieu G. Silly"

选中清除导出查看参考文献查看引证文献引用追踪共1页首页上一页第1页下一页末页 /1 跳转

		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	Single step fabrication of N-doped graphene/Si3N4/SiC heterostructures显示文摘	Emilio Velez-Fort Emiliano Pallecchi Mathieu G. Silly Mounib Bahri Gilles Patriarche Abhay Shukla Fausto Sirotti Abdelkarim Ouerghi	2014	Nano Research2014，7，6：	1
	2	Self-organized metal-semiconductor epitaxial graphene layer on off-axis 4H-SiC(0001)显示文摘graphene 的显著性质在未来电子学为新观点显示出诺言,尤其是为纳米规模设备。这里,我们在离开轴 4H-SiC (0001 ) 上取向附生地种 graphene 底层并且表明单层 graphene 的周期的安排的形成在上平面(0001 )\ 上的平台和伯纳尔 bilayer graphene ((11 \bar 20 )\) nanofacets 原文如此。我们用拉曼光谱学,原子力量 microscopy/electrostatic 力量显微镜学(AFM/EFM ) 和 X 光检查和解决的角度调查这些侧面的超点阵光致核裂变光谱学(XPS/ARPES ) 。EFM 和 ARPES 的关联在 \ 上在叠 AB 的 bilayer graphene 揭示永久电子乐队差距的外观((11 \bar 20 )\) 原文如此 150 兆电子伏的 nanofacets。这个特征被密度证实功能的理论(DFT ) 计算。在底层和 graphene bilayer 之间的费用转移导致在顶和打开精力差距的底部 graphene 层之间的不对称的费用分布。这个表面组织能因此被定义为自我组织的金属半导体 graphene。	Debora Pierucci Haikel Sediri Mahdi Hajlaoui Emilio Velez-Fort Yannick J. Dappe Mathieu G. Silly Rachid Belkhou Abhay Shukla Fausto Sirotti Noelle Gogneau Abdelkarim Ouerghi	2015	Nano Research2015，8，3：	0

返回顶部每页显示：

共1页首页上一页第1页下一页末页 /1 跳转

goolge学术搜索-维普

网站首页 | 关于我们 | 联系我们 | 产品服务 | 客服中心 | 广告服务 | 版权声明 | 网站联盟 | 友情链接 | 售卡网点

版权所有© 渝B2-20050021-1　渝公网安备 50019002500403号　违法和不良信息举报中心

互联网出版许可证新出网证(渝)字10号全国400电话 - 免长途话费