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| 1 | HiPak^(TM)高压SPTIGBT模块的SOA新基准显示文摘介绍了电压额定值从2.5kV到6.5kV的新型高压HiPakTM IGBT模块系列。新系列HiPakTM模块采用了ABB最新研制的高压SPT IGBT和二极管,使得其SOA首次达到破纪录的最高极限。新元件的整体电特性都很优异,可以承受如关断和短路这样极端的工作条件。为此,针对给定的电压等级制定了其SOA工作能力的最新基准。 | M Rahimo A Kopta E Carroll | 2007 | 电力电子技术2007，41，3： | 2 |
| 2 | Effects of external operating conditions on the reverse recovery behaviour of fast power diodes显示文摘 | Shammas N Y Rahimo M T Hoban P T | 1999 | European Power Electronics andDrives Journal1999，8，2： | 1 |
| 3 | 额定电流超过2000A的下一代3300V BIGT HiPak模块显示文摘本文闸述一种被称作双模式绝缘栅晶体管(Bimode Insulated Gate Transistor,缩写为BIGT)的所采用的逆导IGBT概念在实用化方面的进展。介绍了一种采用BIGT技术制造的额定电流超过2000A的3300VHiPak模块,给出了静态、动态特性的测试结果以及棚关参数,这反映出采用新技术后器件的基本性能将要达到的水平。本文还涉及器件的安全工作区、软度、可靠性等其他方面的性能,测试时的结温最高达到150℃。此外,首次给出丁在硬开关频率条件下的BIGT的性能。 | A.Kopta M Rahimo R.Schnell M.Bayer U.Schlapbach J.Vobecky | 2010 | 电力电子2010，，4： | 1 |
| 4 | Freewheeling diode reverse-recovery failure modes in IGBT applications显示文摘 | Rahimo M T Shammas N Y A | 2001 | IEEE Transactions on Industry Applications2001，37，2： | 1 |
| 5 | Next Generation Planar IG- BTs With SPT Technology显示文摘 | Rahimo M Kopta A Eicher S | 2005 | Power Electronics Europe Ma- gazine2005，6，9： | 1 |
| 6 | Next generation planar IGBTs with SPT technology 显示文摘 | RAHIMO M KOPTA A EICHER S | 2005 | Power electronics Europe Magazine2005，6，9： | 1 |
| 7 | Freewheeling diode reverse-recovery failure modes in IGBT applications 显示文摘 | Rahimo M T Shammas N Y A | 2001 | IEEE Transactions on Industry Applications2001，37，2： | 1 |
| 8 | Freewheeling diode reverse-recovery failure modes in IGBT applications显示文摘 | Rahimo M T Shammas N Y A | 2001 | IEEE Transactions on Industry Applications2001，37，2： | 1 |
| 9 | Analysis of the IGBT/freewheeling diode switching behaviour during turn - on in hard switching applications显示文摘 | Rahimo M T Chamund D J Shammas N Y | 1998 | Power electronics and variable speed drives1998，42，3： | 1 |
| 10 | 用于工业牵引的软穿通IGBT技术大功率模块显示文摘随着1.7kVSPT(软穿通)IGBTLoPak密集型封装结构模块类型的引入,为进一步开发利用新的1.7kVSPTIGBT和二极管芯片的特性,研发了电压为1.7kV,电流额定值为2.4kA新封装类型的模块,该模块采用了E1和E2工业标准模块封装形式。在长期高可靠性应用的经验基础上,设计了新的封装类型,其特性适用于牵引市场。讨论了1.7kVSPTIGBT(E1/E2)模块范围的特性,尤其论述了改进的静态和动态特性。 | M Rahimo A Kopta R Schnell U Schlapbach | 2008 | 电力电子技术2008，42，7： | 0 |
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