2篇
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| 1 | SmCo/Cr磁性薄膜的工艺与性能显示文摘通过对磁控溅射条件的优化,制备出了较理想的SmCo(Al,Si)/Cr硬盘磁记录介
质。退火处理后又得到较好的硬磁薄膜。结果表明,Sm含量在31.6% atm,Cr缓冲层为66 nm,
Sm(CoAlSi)5磁性层为30 nm等条件下,制得的Sm(CoAlSi)5/Cr薄膜的矫顽力(Hc)为187.8 kA/
m(2.36 kOe),矩形比( S=Mr/Ms)≈0.94;在500℃保温25 min退火后,矫顽力(Hc)达1042.5
kA/m(13.1 kOe),矩形比(S)≈O.92。 | Hu Yongshi Wang Xiang Li Zuoyi Lin Gengqi 胡用时 王翔 李佐宜 林更琪 | 2001 | 信息记录材料2001，2，2： | 2 |
| 2 | Effects of Nd Substitution on Magnetic and Magneto-optical Properties of TbCo/Cr Films显示文摘有高垂直的磁性的 anisotropy 的 NdTbCo/Cr 非结晶的电影被 rf 磁控管劈啪作响准备到玻璃底层上。TbCo/Cr 电影的磁性、磁电机光的性质上的 Nd 替换的效果被调查。由 Nd 的部分 Tb 替换将增加浸透磁化和克尔旋转角度,这被发现,改变磁电机光的特征的温度依赖。这些结果能被含铁解释稀罕地球转变金属合金的磁性的结构。磁性的层作文是什么时候(Nd 0.265 Tb 0.735)31 公司 69, 247 食火鸟 / 厘米 3 的浸透磁化和在房间温度的 3.8 kOe 的 coercivity 能被获得。 | CHENG Weiming LI Zuoyi YANG Xiaofei JIN Fang HUANG Zhixin LIN Gengqi CHENG Xiaomin | 2008 | Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)2008，23，2： | 0 |
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