| 3 | 光触发静电感应可控硅和静电感应光电晶体管的功能集成显示文摘本文提出了光触发和光猝灭的静电感应可控硅(LTQ SI)集成结构,并以SI可控硅和静电感应品体管(SIT)相结合的工艺技术将其制造出来了。该器件由一个隐埋栅光触发(LT)SI可控硅和一个p沟表面(?)静电感应光电晶体管(SIPT)组成。在阳极电流IA为2A(600A/cm^2沟道电流密度)对,光开关的模拟电压VA为250V,导通时间为1.2μs,截止延迟时间为1.2μs时,触发功率为PLT=8.8mW/cm^2(150μw)和猝灭功率为PLG=8.8mW/cm^2(83μW)。集成LTQ SJ可控硅是一个新型的由光学方法开和关的自关断功率开关顺件。 | J.Nishizawa T.Tamamushi K.Nonaka 石广源 | 1989 | 微电子学与计算机1989，6，10： | 0 |
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