| 1 | 高压、快速开关GaN功率晶体管的技术途径显示文摘本文主要讨论用于功率电子电路中的快速开关GaN器件的技术途径。首先,概述对于在SiC和Si衬底上生长的器件,用于提高击穿电压的最先进技术。然后将这些技术与不同偏压下的动态开关特性联系起来。动态开关特性仍然落后于类似的竞争器件,尤其是如果考虑高偏压的开关特性时。开关特性一般用所谓的动态导通电阻表示。它与一些工艺参数的关系极大,这些参数如外延层的设计、缓冲层晶体品质、钝化层,最后,但并不是不重要的是横向器件设计(如场电极的布置)。说明了所有这些影响因素之间的平衡,及其与GaN高压开关器件现状的关系。 | J.Würfl O.Hilt E.Bahat-Treidel R.Zhytnytska K.Klein P.Kotara F.Brunner A.Knauer O.Krüger M.Weyers G.Trnkle | 2013 | 功能材料与器件学报2013，19，6： | 0 |
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