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| 1 | Voltage-controlled reverse filament growth boosts resistive switching memory显示文摘Nonvolatile 记忆设备基于切换的细丝的抵抗(RS ) areamong 造成未来设备和事情(IoT ) 的因特网的传感器的 frontrunners 时代。到在响应外部电的刺激的二个特殊抵抗状态之间的开关的许多 metal-insulator-metal 房间的能力被表明了。整个选择的年,房间基于金属离子的飘移,也就是传导性桥的存储器设备,与交换速度的毫微秒显示出大量应用程序,纳米可伸缩性,高密度、低的力量消费。不管多么低(sub-10-A ) 当前的操作,批评挑战被编程可变性并且由传导性的细丝的稳定性仍然随着时间的过去代表。由介绍反向的细丝生长(RFG ) 的概念,这里,我们设法与每上述的性质的重要改进在一个记忆房间内控制传导性的细丝的结构的重构。first-in-class 基于 Cu 的切换设备被表明与使我们能系统地触发 RFG 的奉献的栈,因此调节设备性质。与交换速度的毫微秒一起,我们与 10 2 完成了多达 10 个 6 周期的一个耐力读窗户,与突出随着时间的过去扰乱免疫和细丝的最佳的稳定性。由调节细丝形状,而且,多水平位操作的优秀控制被完成。因此,这台设备在记忆应用提供高灵活性。 | Attilio Belmonte Umberto Celano Zhe Chen Janaki Radhaskrishnan' Augusto Redolfi Sergiu Clima Olivier Richard Hugo Bender Gouri Sankar Kar Wilfried Vandervorst Ludovic Goux | 2018 | Nano Research2018，11，8： | 1 |
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