2篇
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| 1 | A highly sensitive chemical gas detecting transistor based on highly crystalline CVD-grown MoSe2 films显示文摘有原子厚度的分层的半导体由于他们的高级搬运人活动性,大 surface-to-volume 比率,和对他们的包围环境的快速的电的回答在高效的电子设备作为活跃元素正在变得日益重要。这里,我们报导高度敏感的 chemical-vapor-deposition-grown 的第一实现多层的 MoSe 2 地效果晶体管(联邦货物税) 在一没有 2 气体传感器。这个传感器展出了超离频敏感(S = ca。1,907 为在 300 ppm 的没有 2) ,即时反应,并且快速的开关切换。我们的 MoSe 2 气体传感器的高敏感在 2 气体专心于在离开状态政体在洞电流导致重要增加的 MoSe 2, 的 NO 劝诱的原子价乐队附近处于差距状态被归因于变化。设备建模和量运输模拟表明没有 2 集中的差距状态的变化是在 MoSe 2 的关键机制基于联邦货物税没有 2 气体传感器。这全面研究,它探讨材料生长,设备制造,描述,和设备模拟,不是仅仅为高效的化学传感器显示 MoSe 2 联邦货物税的用途,而且建立怎么出现理解化学的一个基础在分层的半导体设备影响搬运人运输。 | Jongyeol Baek Demin Yin Na Liu Inturu Omkaram Chulseung Jung Healin Im Seongin Hong Seung Min Kim Young Ki Hong Jaehyun Hur Youngki Yoon Sunkook Kim | 2017 | Nano Research2017，10，6： | 4 |
| 2 | Erratum to: A highly sensitive chemical gas detecting transistor based on highly crystalline CVD-grown MoSe2 films显示文摘 | Jongyeol Baek Demin Yin Na Liu Inturu Omkaram Chulseung Jung Healin Im Seongin Hong Seung Min Kim Young Ki Hong Jaehyun Hur Youngki Yoon Sunkook Kim | 2017 | Nano Research2017，10，8： | 0 |
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