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作者
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出处
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| 1 | 牵引用3300V IGBT/FRD芯片组设计与开发显示文摘针对轨道交通绝缘栅双极晶体管(IGBT)的应用特点,利用计算机仿真技术对终端结构进行优化,提高耐压特性;采用台面栅结构,提高开关速度;通过控制载流子注入效率,改善Vceon与Eoff的折中关系,降低芯片损耗;采用先进元胞设计技术,提高芯片短路能力,从而提高芯片可靠性;通过超低阳极掺杂控制阳极注入效率,免除局部寿命控制,降低FRD的反向漏电流。研究开发了3300V IGBT及其配套FRD芯片,满足轨道交通的应用要求。 | 刘国友 覃荣震 Ian Deviny 黄建伟 | 2013 | 机车电传动2013，，2： | 12 |
| 2 | 高功率密度IGBT模块的研发与特性分析显示文摘基于现有标准DMOS设计技术,通过优化高压IGBT&FRD芯片及其模块结构,降低芯片功耗、模块寄生电感和模块热阻,改善模块散热,提高最高工作温度。研究开发了高功率密度1 500 A/3 300 V、1 200 A/4 500 V及750 A/6 500 V IGBT模块,满足轨道交通的应用要求。 | 刘国友 覃荣震 黄建伟 Ian Deviny 罗海辉 Rupert Stevens 吴义伯 | 2014 | 机车电传动2014，，2： | 8 |
| 3 | 牵引级高压IGBT模块短路特性研究及其优化显示文摘介绍了IGBT 3种短路类型,通过优化器件的晶体管增益提高第二类短路能力,以承受更大短路电流的冲击,采取驱动电路栅极电压箝位措施来限制短路状态下的过流。经过设计与工艺优化后的高压IGBT成功通过了短路特性试验,满足轨道交通的应用需求。 | 刘国友 覃荣震 黄建伟 Ian Deviny 吴义伯 余伟 | 2014 | 机车电传动2014，，1： | 8 |
| 4 | 沟槽栅IGBT深槽工艺研究显示文摘基于Lam 4420反应离子刻蚀(RIE)设备和Cl2气体开发了适用于沟槽栅IGBT的深槽等离子刻蚀工艺。通过调整HBr、O2和SF6等添加气体含量得到了无底切、底角圆滑、槽壁斜度3°左右、深度6μm的沟槽;通过系统优化气体流量、气压、电极间距和RF功率等工艺参数,得到了<5%的硅片内不均匀性,刻蚀速率可达800 nm/min。在完成CF4/Ar刻蚀和牺牲氧化等后续工艺后,槽型得到进一步改善。 | 罗海辉 黄建伟 Ian Deviny 刘国友 | 2013 | 大功率变流技术2013，，2： | 4 |
| 5 | 沟槽栅IGBT结构参数设计与动、静态性能优化(英文)显示文摘近年来,随着沟槽栅软穿通技术的发展,IGBT的性能不断提升。沟槽栅IGBT的动、静态性能与栅结构、载流子存储层、软穿通缓冲层等密切相关。在实际应用中,需根据不同的应用需求如低导通压降、低关断损耗或宽安全工作区性能等,对IGBT的综合性能进行优化设计。本文研究了沟槽栅IGBT的结构设计参数对器件性能的影响,并在此基础上探索了基于低电感应用条件的电动汽车IGBT的参数设计。 | Luther Ngwendson 朱春林 Ian Deviny | 2017 | 大功率变流技术2017，，5： | 1 |
| 6 | 基于增强型沟槽栅技术的高性能3300V IGBT显示文摘采用沟槽栅结构、软穿通(SPT)技术和载流子存储层技术研制出一款增强型沟槽栅型(TMOS+)3 300 V IGBT芯片,其具有更低通态压降、更高功率密度和更优的关断安全工作区性能。高温(Tj=150℃)工况下,芯片的通态压降比相同电压等级增强型平面栅型(DMOS+)IGBT的约低25%,并能安全关断11倍额定电流;同等外形尺寸条件下,TMOS+型IGBT模块的电流等级(1 800 A)比DMOS+型的提升了20%,可满足更高功率容量的应用需求。 | 周飞宇 宁旭斌 Luther Ngwendson 肖强 Ian Deviny 戴小平 | 2017 | 大功率变流技术2017，，5： | 0 |
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