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45篇 您的检索式：作者名="Heikman"

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	题名	作者	年代	出处	被引量
1	Relation between frontal 3-7 Hz MEG activity and the efficacy of ECT in major depression 显示文摘	Heikman P Salmelin R Makela IP	2001	J ECT2001，17，：	1
2	AIGaN/GaN high electron mobility transistors with InGaN back-barriers 显示文摘	Palacios T Chakraborty A Heikman S	2006	IEEE Electron Device Letters2006，27，1：	1
3	查看详情显示文摘	Heikman S Keller S DenBaars S P Mishra U K		0，，：	1
4	Polarization effects in AlGaN/GaN and GaN/AlGaN/GaN heterostructures显示文摘	Keller S Wu Yuan	2003	J Appl Phys2003，93，10：	1
5	查看详情显示文摘	Poblenz C Waltereit P Rajan S Heikman S Mishra U K Speck J S		0，，：	1
6	AlGaN/AlN/GaN highpower microwave HEMT显示文摘	Shen L Heikman S Moran B		0，，10：	1
7	Blood concentra- tions of vasopressin, neuropeptide FF and prolactin are increased by high-dose right unilateral ECT显示文摘	Sundblom DM Heikman P Naukkarinen H	1999	Peptides1999，20，3：	1
8	显示文摘	Xu H Gao S Heikman S	2006	Microwave and Wireless Components Letters IEEE2006，16，1：	1
9	Effect of ohmic contacts on buffer leakage of GaN transistors显示文摘	Chakraborty Dora A Heikman S McCarthy L	2006	IEEE Electron Devices Letters2006，27，7：	1
10	AlGaN/ AlN/GaN high-power microwave HEMT 显示文摘	SHEN L HEIKMAN S MORAN B	2001	IEEE Electron Device Letters2001，22，10：	1
11	AlGaN/AlN/GaN high-power microwave HEMT显示文摘	L Shen S Heikman B Moran	2001	IEEE Electron Device Lett2001，22，3：	1
12	AlGaN/AlN/ GaN high-power microwave HEMT 显示文摘	SHEN L HEIKMAN S MORAN B	2001	IEEE Electron Device Lett2001，22，10：	1
13	A1GaN/GaN high electron mobility transistors with InGaN back-barriers 显示文摘	PALACIOS T CHAKRABORTY A HEIKMAN S	2006	Electron Device Letters2006，27，1：	1
14	p-capped GaN-AlGaN-GaN high-electron mobility transistors显示文摘	COFFIE R BUTTARI D HEIKMAN S	2002	IEEE Electron Device Lett2002，23，10：	1
15	Relation between frontal 3-7 Hz MEG activity and the efficacy of ECT in major depression显示文摘	Heikman P Salmelin R Makela JP	2001	J ECT2001，17，：	1
16	AlGaN/GaN high electron mobility transistors with InGaN back-barriers 显示文摘	PALACIOS T CHAKRABORTY A HEIKMAN S	2006	IEEE Electron Device Lett2006，27，1：	1
17	AlGaN/AlN/GaN high-power microwave HEMT 显示文摘	Shen L Heikman S Moran B	2001	IEEE Electron Device Lett2001，22，10：	1
18	AlGaN/ GaN high electron mobility transistors with InGaN back-barriers 显示文摘	PALACIOS T CHAKRABORTY A HEIKMAN S	2006	IEEE Electron Device Lett2006，27，1：	1
19	Relation between frontal 3 -7hz MEG activity and the efficacy of ECT in major depression 显示文摘	Heikman P Salmelin R Jyrki P	2001	J ECT2001，17，2：	1
20	Power and linearity characteristics of GaN MISFETs on sapphire substrate显示文摘	Chini A Wittich J Heikman S	2004	IEEE Electron Devices Lett2004，25，2：	1

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