| 1 | 温度对碳热还原/氮化法合成氮化硅的影响显示文摘碳热还原/氮化合成Si3N4在1300~1600℃下N2或N2-H2混合气中进行。反应物由非晶SiO2与C粉以1∶4.5摩尔比混合、压片。产生的CO由红外传感器监测,样品中氧、氮、碳含量由LECO元素分析仪测得,混合物各相由X射线衍射(XRD)检测。SiO2还原反应在1300℃以下开始,速率随温度升高增大;温度高于1570℃时,速率因反应物表面被生成物覆盖降低。由于还原产物CO平衡分压差别小,选择生成Si3N4或SiC的临界温度不明显。碳热还原/氮化法合成氮化硅的原理需进一步探讨。 | 万小涵 张广清 Oleg Ostrovski Hal Aral | 2015 | 中国工程科学2015，17，1： | 3 |
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