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2篇 您的检索式：作者名="Franco Cerrina"

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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	制作亚50nm L/S图形的极紫外纳米光刻技术显示文摘极紫外光刻技术 (EUVL ,λ =1 3.4nm)是为小于 70nm特征尺寸图形制作而开发的下一代光刻技术 (NGL)。在麦迪逊威斯康星大学开发的极紫外光刻系统中 ,极紫外光源是由电子存储环中的波动器产生 ,为极紫外干涉光刻 (EUV -IL)提供了瞬间空间相干光源。其成像系统采用了一个洛埃镜干涉仪。用EUV -IL制作的高分辨力图形进行极紫外光刻的抗蚀剂特性研究。验证了用EUV光源的干涉光刻技术制作 1 9nm线 /间 (L/S)条纹图形 ,同时报告了采用EUV -IL技术开发亚 50nm密集线 /间图形的进展 ,并开始向制作 1 2	Waikin Li Harum H.Solak Franco Cerrina 葛劢冲	2001	电子工业专用设备2001，30，4：	2
	2	X-ray lithography for ULSI manufacturing显示文摘	Henry I Smith Franco Cerrina	1997	Microlithography World1997，6，1：	1

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