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8篇 您的检索式：作者名="FICHTENBAUM N"

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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	Influence of the substrate misorientation on the properties of N-polar GaN films grown by metal organic chemical vapor deposition 显示文摘	KELLER S FICHTENBAUM N A WU F etal	2007	Journal of Applied Physics2007，102，8：	1
	2	V-gate GaN HEMTs for X-band power applications显示文摘	CHU R SHEN L FICHTENBAUM N	2008	IEEE Electron Device Lett2008，29，9：	1
	3	Correlation between DC-RF dispersion and gate leakage in deeply recessed GaN/A1GaN/GaN HEMTs显示文摘	Chu R Shen L Fichtenbaum N	2008	IEEE Elec- tron Device Lett2008，29，4：	1
	4	Influence of the substrate misorientation on the properties of N-polar GaN films grown by metal organic chemical vapor deposition显示文摘	KELLER S FICHTENBAUM N A WU F	2007	J Appl Phys2007，102，：	1
	5	Plasma treatment for leakage reduction in A1GaN/GaN and GaN Schottky contacts 显示文摘	CHU R SHEN L FICHTENBAUM N	2008	IEEE Electron Device Lett2008，29，4：	1
	6	Plasma treatment for leakage reduction in AlGaN/GaN and GaN Schottky contacts 显示文摘	CHU R SHEN L FICHTENBAUM N	2008	IEEE Electron Device Lett2008，29，4：	1
	7	Influence of the substrate misorientation on the properties of N-polar GaN films grown by metal organic chemical vapor deposition显示文摘	KELLER S FICHTENBAUM N A WU F	2007	J Appl Phys2007，102，：	1
	8	Influence of the substrate misorientation on the properties of N-polar Ga N films grown by metal organic chemical vapor deposition显示文摘	KELLER S FICHTENBAUM N A WU F	2007	Journal of Applied Physics2007，102，08：	1

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