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1篇 您的检索式：作者名="Eric Labonne"

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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	20nm高介电常数金属栅极缺陷减少技术显示文摘介绍了20 nm平面技术生产线前端缺陷减少的方法、结果及改善。介绍的缺陷检测优化与缺陷减少方法是针对高性能逻辑器件所用的300 mm晶圆上的高介电常数金属栅极(HKMG)层叠模块而实施的。	Vincent Charbois Julie Lebreton Mylène Savoye Eric Labonne Antoine Labourier Benjamin Dumont Chet Lenox Mike von Den Hof	2017	电子工业专用设备2017，0，1：	1

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