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时间 1989 - 2010 学科选择学科
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1篇 您的检索式：作者名="Dario Bisello"
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    题名 作者 年代 出处 被引量
1Comparison of radiation degradation induced by x-ray and 3-MeV protons in 65-nm CMOS transistors显示文摘The total ionizing dose(TID) response of 65-nm CMOS transistors is studied by 10-ke V x-ray and 3-Me V protons up to 1 Grad(SiO_2) total dose.The degradation levels induced by the two radiation sources are different to some extent.The main reason is the interface dose enhancement due to the thin gate oxide and the low energy photons.The holes' recombination also contributes to the difference.Compared to these two mechanisms,the influence of the dose rate is negligible.丁李利 Simone Gerardin Marta Bagatin Dario Bisello Serena Mattiazzo Alessandro Paccagnella 2016Chinese Physics B2016，25，9：0
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