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10篇 您的检索式：作者名="DONOVAL D"

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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	A contribution to the analysis of the I-V characteristics of Schottky structures 显示文摘	DONOVAL D BROBNY V LUZA M	1998	Sol Sta Elec1998，42，2：	1
	2	Evaluation of the ruggedness of power DMOS transistor from electro-thermal simulation of UIS behaviour显示文摘	DONOVAL D VRBICKY A MAREK J	2008	SSE2008，52，6：	1
	3	A Contribution to the Analysis of the I-V Characteristics of Sehottky Structures 显示文摘	Donoval D Brohny V Luza M	1998	Solid State Electronics1998，42，2：	1
	4	A self consistent approach to IV-measurements on rectifying metal-semiconductor contacts显示文摘	Donoval D Pires J De Sousa Tove P A	1989	Solid-State Electronics1989，32，11：	1
	5	Transport properties and barrier height evaluation in Ni/InA1N/GaN Schottky diodes显示文摘	Donoval D Chvdla A Sramaty R	2011	Journal of Applied Physics2011，109，06：	1
	6	Analysis of I-V measurements on PtSi-Si Schottky structures in a wide temperature range 显示文摘	DONOVAL D BARUS M ZDIMAL M	1991	SSE1991，34，12：	1
	7	查看详情显示文摘	Racko J Donoval D Barus M Nagl V. Grmanova A		0，，07：	1
	8	A contribution to the analysis of the I-V characteristics of Schottky structures显示文摘	Donoval D Brobny V Luza M	1998	Solid-State Electronics1998，42，2：	1
	9	Electro-thermal analysis and optimization of edge termination of power diodesupported by 2D numerical modeling and simulation显示文摘	Pribytny P Donoval D Chvala A	2012	Microelectronics Reliability2012，52，3：	1
	10	Analysis of reliability and optimization of ESD protection devices supported by modelingand simulation显示文摘	Chvala A Donoval D Beno P	2012	Microelectronics Reliability2012，52，6：	1

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