维普期刊资源整合服务平台（V6.5）

1篇 您的检索式：作者名="Benjamin A.Bonner"

选中清除导出查看参考文献查看引证文献引用追踪共1页首页上一页第1页下一页末页 /1 跳转

		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	先进的前道CMP设备及整合解决方法显示文摘概述了未来IC器件可采用的前道CMP设备及整合解决方法的巨大进展。为提高设备的可用性和生产线的运作效率,在一台设备上采用多用途的整合解决方法。而且,对这些方法与下一代无磨料网膜抛光设备的能力进行了比较。未来数代器件要求的CMP工艺技术包括先进的抛光头、先进的现场终点系统、多平台、多抛光头结构。与下一代消耗品(单独硬抛光垫、高平面性磨料、无磨料抛光等)结合,能使直接抛光浅沟槽隔离(STI)工艺方法满足0.18μm乃至更小特征尺寸的器件要求。采用新型多步工艺进行了多晶硅CMP。先进的多晶硅金属介质(PMD)抛光工艺展示了更长寿命的抛光垫和更高的金刚石盘片生产效率和更强的设备可用性。这些工艺技术已全部成功地使用在生产线,并正在生产中进行测试。	Raymond R.Jin Sen-Hou Ko Benjamin A.Bonner Shijian Li Thomas H.Osterheld Kathleen A.Perry	2003	电子工业专用设备2003，32，6：	0

返回顶部每页显示：

共1页首页上一页第1页下一页末页 /1 跳转

互联网出版许可证新出网证(渝)字10号全国400电话 - 免长途话费