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时间 1989 - 2010 学科选择学科
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13篇 您的检索式：作者名="Ballutaud"
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    题名 作者 年代 出处 被引量
1ZnO growth by chemical vapour transport 显示文摘Ntep J M Said Hassani S Lusson A Tromson-Carli A Ballutaud D Didier G Triboulet R 1999Journal of Crystal Growth1999，207，：1
2Hy- drogen Incorporation, Bonding and Stability in Nano- crystalline Diamond Films显示文摘Ballutaud D Kociniewski T Vigneron J 2008Diamond & Related Materials2008，17，7：1
3ZnO growth by chemical vapour transport显示文摘Ntep J M Hassani S S Lusson A Tromson-Carli A Ballutaud D Didier G Triboulet R 0，，：1
4Nonuniform radio-frequency plasma potential due to edge asymmetryin large-area radio-frequency reactors 显示文摘Howling A A Sansonnens L Ballutaud J 2004J Appl Phys2004，96，10：1
5Semiconducting and magnetic properties of Zn1-xMnxO films grown by metalorganic chemical vapor deposition 显示文摘CHIKOIDZE E DUMONT Y JOMARD F BALLUTAUD D GALTIER P GOROCHOV O FERRAND D 2005Journal of Applied Physics2005，97，10：1
6Electrical properties of multicrystalline silicon produced by electromagnetic casting process:degradation and improvement显示文摘BOUDADEN J LOGHMARTI M BALLUTAUD D 2001Solar Energy Materials and Solar Cells2001，65，14：1
7显示文摘Simon N Ballutaud D Herlem M 2004Diamond and Related Materials2004，13，：1
8显示文摘Girard H Simon N Ballutaud D 2007Diamond & Related Materials2007，16，：1
9Influence on the sp3/sp2 character of the carbon on the insertion of nilrogen in RFMS carbon nitride films 显示文摘BOUCHET-FABRE B LAZAR G BALLUTAUD D 2008Diamond Relat Mater2008，17，45：1
10ZnO Growth by Chemical Vapour Transport显示文摘Ntep J M Said Hassani S Lusson A Tromson-Carli A Ballutaud D Didier G Triboulet R 1999Crystal Growth1999，207，：1
11ZnO growth by chemical vapour transport显示文摘J.-M Ntep S Said Hassani A Lusson A Tromson-Carli D Ballutaud G Didier R Triboulet 1999Journal of Crystal Growth1999，，1：1
12Nonuniform radio-frequency plasma potential dUe to edge asymmetry in large-area radio-frequency reactors 显示文摘Howling A A Sansonnens L Ballutaud J Hollenstein C 2004Journal of Applied Physics2004，96，：1
13Influence on the sp3/sp2 character of the carbon on the insertion ofnitrogen in RFMS carbon nitride films显示文摘Bouchet-Fabre B Lazar G Ballutaud D 2008Diamond and Related Materials2008，17，45：1
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