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47篇 您的检索式:作者名="Aaron Hand"
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1高折射率镜头推动浸没式光刻跨越32纳米显示文摘在今年的SPIE Microlithography年会上,与会的专家们一如既往地针对如何延伸光学光刻技术使用寿命的问题进行了大量的研讨。而与往年会议不同的是,尽管有人心存疑虑,但今年的会议仍然对双重曝光技术打开了友善之门。关于这项技术,普遍的问题是如何妥善地解决图形套准的问题,对于逻辑电路芯片的生产工艺而言,由于其没有大量的密集线条,因此也就能够较好地归避上述的风险。Aaron Hand 2006集成电路应用2006,23,6:2
2EUV掩膜版清洗——Intel的解决之道显示文摘对于极紫外(EUV)光刻技术而言,掩膜版相关的一系列问题是其发展道路上必须跨越的鸿沟.而在这些之中又以如何解决掩膜版表面多层抗反射膜的污染问题最为关键。自然界中普遍存在的碳和氧元素对于EUV光线具有极强的吸收能力,在Texas州Austin召开的表面预处理和清洗会议上,针对EUV掩膜版清洗方面遇到的问题和挑战,Aaron Hand 2008集成电路应用2008,,6:2
3先进光刻技术大步向前显示文摘正如半导体国际杂志上所说的那样,在今年的SPIE Microlithography会议上,光刻领域的技术专家们共聚一堂并发表了他们的最新研究成果。毫无疑问本次会议将会产生更多的新闻和技术热点,而近来公布的一些关于前沿浸没式光刻技术和极紫外光刻技术(EUV)的新闻以及研究成果已经受到了广泛的关注和极大的重视。Aaron Hand 2006集成电路应用2006,23,5:2
4Interactive story: from corn to cupcakes 显示文摘Aaron J Hand C McCarthy 2000Photonics Spectra2000,34,3:1
5An architecture and development methodology for location-based services显示文摘Aaron Hand John Cardiff Patricia Magee 2006Electronic Commerce Research and Applications2006,,4:1
6Photonics analyzes food quickly,efficiently显示文摘Aaron J Hand 1998Photonics Spectra1998,32,10:1
7纳米压印模板需要高质量的检测技术显示文摘纳米压印光刻经学术和行业团体近十年的研究之后,已逐渐开始对半导体行业产生引导作用。简单地讲,纳米压印是把一个1×的模板压进一个柔性层,从而在衬底上制作图形。斯坦福大学的电子工程教授Fabian Pease说:“它引人注意之处是具有半导体行业现在非常感兴趣的分辨率,即远低于100nm的线条,而在这个范围内,如果无法用纳米压印光刻来实现,光学光刻将变得很昂贵。”Aaron Hand 2006集成电路应用2006,23,3:1
8日益增多的工艺需求关注新的晶圆清洗方法(英文)显示文摘随着器件结构尺寸的缩小,在保持低材料损失的同时去除粒子正变得越来越难以实现。而且围绕材料和器件结构保持器件避免损伤、侵袭或以其他方式修改也日益困难,包括掺杂硅损失,低-k电介质k值的变化,金属栅极腐蚀,图形倒塌等等。在32nm及以下节点,所有这些,将会更加严峻。因而,需要建立一个下一步如何进行晶圆清洗的转变模式。Aaron Hand 2009电子工业专用设备2009,,2:1
9光刻专家探讨32nm节点的选择方案显示文摘在最近这段时间.继续推动光刻技术发展的保障似乎来自于几个不同的方向。在Semiconductor International最新的技术webcast“32nm光刻:寻找合适的解决方案”中.四位业界专家聚在一起来讨论高折射率浸没式、双重图形.EUV、纳米压印、电子束和光学无掩膜等光刻技术的优缺点。这四位专家分别是IMEC先进光刻技术主管KurtRonse、Sematech浸没式光刻项目经理BryanRice、德州大学奥斯汀分校Rashid Engineering董事会主席Grant Willson和麻省理工学院电气工程的教授Hank Smith分别介绍了上述这些技术领域的最新进展。虽然在某种程度上.所有这些技术都表现出相当大的潜力.但是为了满足32nm节点关键层的大规模生产要求.它们都面临着巨大的挑战。Aaron Hand 2007集成电路应用2007,24,3:1
10双重图形推动浸没式光刻继续前进显示文摘随着高折射率浸没式光刻看起来并不比其他光刻方案更有希望,业界现在开始热烈地讨论双重图形。Aaron Hand(编) 2007集成电路应用2007,24,4:1
11混合纳米结构:两全其美的选择显示文摘普遍认为,碳纳米管(CNT)和纳米线将在未来的半导体技术中大显身手。除了显然的可应用于纳米尺度以外,CNT还具有非常高的机械强度和良好的导电能力.这使得它们能够用于比现今的先进铜互连快许多倍的高速互连技术。而且金纳米线的光学和电学性能也很受关注。Aaron Hand(编) 2007集成电路应用2007,24,4:1
12双重图形在ITRS中粉墨登场显示文摘按计划,2006年只推出ITRS修正版而非全新版本,因此其中的重大修改不可能太多。不过ITRS2006修正版的光刻篇则不然,几乎每一页都被改写。主要是因为出现了一个非常重要的更新,那就是将双重图形技术列为进一步提升193nm浸没式光刻(193i)分辨率的潜在解决方案。鉴于其在过去一年内的巨大影响力。Aaron Hand(编) 2007集成电路应用2007,24,4:1
13LuAG高折射率材料获得突破性进展显示文摘尽管在45nm技术节点上,绝大部分的芯片制造商都将采用侵没式光刻技术,但是对于32nm而言,哪一种技术才是最佳选择目前还没有定论。其中,一种可能的解决方案就是采用高折射率材料进一步延伸浸没式光刻技术的使用寿命。然而,之前针对这项技术的研究并不乐观。Aaron Hand 2008集成电路应用2008,,5:1
14显示文摘Aaron Hand Semiconductor Internathional0,32,:1
15激光等离子体EUV光源令人期待显示文摘虽然近来放电等离子体(DPP)光源被认为是极紫外(EUV)光刻beta工具的最强有力的候选者,但是根据最近由Sematech在Baltimore,Md.主办的EUV光源研讨会(EUV Source Workshop)上的科学家们的观点,激光等离子体(LPP)光源似乎正在取得进展。Aaron Hand 2007集成电路应用2007,24,9:0
16PV产业的进展带动相关金属的应用显示文摘NanoMarkets(弗吉尼亚州,Glen Allen)发布了一系列关于光伏产品中金属应用的报告,其中的一篇指出,在透明电极铟锡氧化物(ITO)中使用金属铟和锡的传统方法已经过时,而锡的氧化物正日渐走俏。Aaron Hand 2009集成电路应用2009,26,10:0
17C-Si太阳能制造商详解降低成本的方法显示文摘在Intersolar North America关于“晶体硅制造”分会上,围绕降低多晶硅制造成本这一话题,太阳能电池和多晶硅供应商对降低成本的需求和实现方法进行了探讨。对太阳能产业的普遍认知是,这项技术还是太过昂贵,尽管其成本已经有所降低,但仍只是总成本的一小部分,并没有实质性的改善。Aaron Hand 2009集成电路应用2009,,10:0
18太阳能光伏为反弹做好准备显示文摘经济危机不断深入,并且与产业周期的低谷共同作用,半导体产业的生存压力日渐增大。越来越多的器件制造商和代工厂开始在光伏领域寻找机会以期度过财政难关。市场分析公司IC Insights(亚利桑那州,Scottsdale)主要集中在半导体领域,目前也开始向PV产业转移,开始为半导体产业的企业进入这个新兴市场提供帮助。Aaron Hand 2009集成电路应用2009,,8:0
19PV材料市场将获得爆炸式成长显示文摘随着世界上一些特选地区的光伏能源接近电网平价,及电池制造业的努力以进一步降低成本,PV产业正成为并网电力的一个非常重要的选择。根据Linx Consulting(Mendon,Mass.)的最新报告,PV产业的成长反映在光伏组件制造材料市场上的影响是,在今后几年该市场将如流星焰火般猛涨。Aaron Hand 2009集成电路应用2009,,8:0
20用多光子光刻制作65nm聚合物结构显示文摘常规光刻方法通过利用电路设计每一层的掩膜版来进行曝光和显影.从而形成图案。佐治亚理工学院(GeorgiaInstitute of Technology)的研究人员正在研究一种多光子光刻技术,不再需要掩膜版就可以制作出65nm的三维聚合物线条结构。Aaron Hand 2007集成电路应用2007,24,8:0
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