维普期刊资源整合服务平台（V6.5）

维普中文期刊产品整合服务

3篇 您的检索式：作者名="A.M.Robinson"

选中清除导出查看参考文献查看引证文献引用追踪共1页首页上一页第1页下一页末页 /1 跳转

		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	微机械多晶硅薄膜热敏电阻特性研究显示文摘将1.5 μm CMOS工艺和各向异性腐蚀工艺结合,制作出电阻温度系数为1.1×10- 3·°C- 1的微机械多晶硅薄膜电阻。理论分析了多晶硅薄膜结构对多晶硅薄膜电阻率的影响,对电阻样品的室温电阻、电阻温度系数。	胡明杨龙 A.M.Robinson	1999	压电与声光1999，21，5：	1
	2	恒定直流功率负荷下多晶硅微电阻电阻一时间特性测量显示文摘利用数字式恒定功率测试系统(DCPS)对多晶硅微电阻进行恒定直流功率负荷下电阻随时间变化特性的测量实验。用标准CMOS工艺和后续的腐蚀工艺制成悬浮结构多晶硅微电阻。测试结果表明,在恒定直流功率条件下工作的微电阻的稳定性由临界功率P_(cri)值决定,当负荷于电阻上的恒定直流功率P≤P_(cri)时,电阻值在负荷时间内保持常量;当P>P_(cri)时,电阻值随时间增加而增加。临界功率值决定于流过电阻的电流密度、电阻结构尺寸以及环境温度。计算得到多晶硅薄膜的临界电流密度为 10~5A/cm~2数量级,不同于集成电路中的多晶硅薄膜的相应数值。	胡明 A.M.Robinson	1999	电子测量与仪器学报1999，13，3：	0
	3	多重嵌套悬臂梁结构磁致动微机械偏转器显示文摘设计并制做了一种新型多重嵌套悬臂梁结构的磁致动微机械偏转器 .偏转器由 1 2 μmCMOS工艺和各向异性腐蚀工艺制成 .致动原理是电流与磁场的相互作用在悬梁上产生罗仑兹力 .测量了偏转器的静态和动态特性 .测量结果表明 ,这种微偏转器的特点是可双向偏转且偏转角度大且具有快的时间响应 .	胡明 B.Shen W.Allegretto A.M.Robinson	2000	电子学报2000，28，2：	0

返回顶部每页显示：

共1页首页上一页第1页下一页末页 /1 跳转

goolge学术搜索-维普

网站首页 | 关于我们 | 联系我们 | 产品服务 | 客服中心 | 广告服务 | 版权声明 | 网站联盟 | 友情链接 | 售卡网点

版权所有© 渝B2-20050021-1　渝公网安备 50019002500403号　违法和不良信息举报中心

互联网出版许可证新出网证(渝)字10号全国400电话 - 免长途话费