基于混合PN/肖特基结构的新一代600V SiC肖特基二极管

查看全文 作　　者：Peter Wannian [1]Huang;Junyang [2]Luo

机构地区：[1]英飞凌科技香港有限公司;[2]英飞凌科技亚太有限公司

出　　处：《电子设计技术 EDN CHINA》索引2006年第13卷第11期,共4页

摘　　要：第二代碳化硅(SiC)肖特基二极管——thinQ!2G是由一个肖特基结构和一个与它平行的独特的低电阻PN结组成,因此具备更加强大的浪涌电流处理能力,同时又继承了第一代碳化硅肖特基二极管所实现的良好的动态性能。 关键词：肖特基二极管肖特基结构 SIC 混合电流处理动态性能碳化硅第二代

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