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| 1 | “电路原理”课程教学改革的理念与实践显示文摘本文针对我国高校本科电气信息类专业必修的'电路原理'课程,结合卓越工程师教育培养计划的实施,讨论'电路原理'课程教学改革的动因,陈述我校'电路原理'课程教改的理念,从教学内容、方法、手段、环境等方面详细介绍教改的实施细节和效果,对相关问题进行讨论,并展望未来的教改思路。希望本文能够对国内高校'电路原理'课程教学改革起到抛砖引玉的作用。 | 于歆杰 朱桂萍 陆文娟 刘秀成 郭静波 赵伟 | 2012 | 电气电子教学学报2012，34，1： | 73 |
| 2 | 同步整流器中MOSFET的双向导电特性和整流损耗研究显示文摘该文从理论和实验上研究了MOSFET的双向导电特性 ,得出了完整的双向漏源电压电流特性曲线 ,为MOSFET在同步整流中的实际应用奠定了理论基础。同步整流效率取决于MOSFET整流损耗 ,为此 ,该文基于MOSFET的等效损耗模型 ,深入研究了MOSFET整流损耗与其参数、栅极驱动电压和开关工作频率的相互关系 ,得到MOSFET同步整流效率曲线。此外 ,文中还对输出大电流时MOSFET整流损耗和肖特基二极管整流损耗进行了比较 ,提出了大电流运行时多管MOSFET并联整流方式。该文的工作对同步整流器中开关频率、栅极驱动电压、单管或多管并联运行方式的选择具有实际指导意义。 | 胡宗波 张波 | 2002 | 中国电机工程学报2002，22，3： | 52 |
| 3 | SiC MOSFET、Si CoolMOS和IGBT的特性对比及其在DAB变换器中的应用显示文摘碳化硅(Si C)半导体器件由于其宽禁带材料的优良特性受到了广泛关注。Si C半导体器件作为一种新型器件,对其与Si半导体器件的特性对比及评估越来越有必要。本文主要对比了Si C MOSFET、Si Cool MOS和IGBT的静态特性。并搭建了基于Buck变换器的测试平台,测试条件为输入电压为400V,电流为4~10A,对比了三种器件的开关波形、开关时间、开关损耗、dv/dt、di/dt以及内部二极管的反向恢复特性。设计了一台2k W的双主动全桥(DAB)变换器的实验样机,对比了应用三种器件的DAB变换器的理论效率和实测效率。 | 梁美 郑琼林 可翀 李艳 游小杰 | 2015 | 电工技术学报2015，30，12： | 55 |
| 4 | 寄生参数对SiC MOSFET栅源极电压影响的研究显示文摘为分析寄生参数对开关过程中碳化硅(Si C)MOSFET栅源极电压的影响,首先建立了基于同步Buck变换器的Si C MOSFET开通和关断过程的数学模型;然后通过仿真和实验结果对比,验证了寄生参数带来的影响;最后分析了开关过程中各寄生参数对Si C MOSFET栅源极电压的影响。 | 巴腾飞 李艳 梁美 | 2016 | 电工技术学报2016，31，13： | 41 |
| 5 | 基于PA85的新型压电陶瓷驱动电源显示文摘压电陶瓷驱动电源是压电陶瓷微位移器应用中关键部件。PA 85是一种高压、高精度的M O SFET运算放大器。文章介绍了一种基于PA 85的新型压电陶瓷驱动电源,详细介绍了电源复合放大电路部分的设计原理和并对其稳定性进行了分析。该电源具有精度高,驱动能力强,结构简单,稳定性好的特点。 | 李福良 | 2005 | 压电与声光2005，27，4： | 37 |
| 6 | 电解加工技术的新发展——高频窄脉冲电流电解加工显示文摘综述了国内外脉冲电流电解加工研究和应用概况 ,重点介绍了 MOSFET脉冲电源高频窄脉冲电流电解加工 ( HSPECM)特性及加工精度、表面质量的试验研究。研究表明 HSPECM较大地改善了阳极溶解过程理化特性 ,可以较大幅度地提高电解加工精度 。 | 王建业 | 1998 | 电加工1998，，2： | 36 |
| 7 | 基于单片机的直流电机PWM调速系统设计与开发显示文摘当前,直流电机因其速度可调等种种优点,在实际生产中得到了广泛的应用。直流电机的脉宽调制方法是直流电机调速方法中比较常见的。文章对基于单片机的直流电机PWM调速系统做了一定的研究,利用STC89S52单片机的定时器产生PWM脉冲,经过光耦的隔离之后,进行功率的放大,构成H桥驱动电路,从而驱动直流电机,方便地对直流电机转速进行调节。 | 庹朝永 | 2011 | 煤炭技术2011，30，6： | 35 |
| 8 | 一种抑制SiC MOSFET桥臂串扰的改进门极驱动设计显示文摘由于传统驱动下碳化硅(SiC)MOSFET受高开关速度特性及寄生参数影响,桥臂串扰现象更加严重,而现有抑制串扰驱动电路又往往会增加开关损耗、开关延时和控制复杂程度,因此本文结合驱动阻抗控制与负压关断的串扰抑制方法,提出一种改进门极驱动电路。首先,阐述串扰现象产生原理及其典型抑制方法。其次,在负压关断前提下,基于控制辅助三极管开断,降低串扰产生过程中驱动回路阻抗的思想,提出一种在栅源极增加三极管串联电容新型辅助支路的改进驱动方法,并分析其工作原理,研究改进驱动电路关键参数设计原则。最后,搭建双脉冲测试实验平台,在不同驱动电阻、输入电压、负载电流条件下对改进驱动电路设计的有效性进行验证。结果表明,传统驱动下SiC MOSFET桥臂串扰现象明显。相比典型抑制串扰驱动电路,提出的驱动方法在有效抑制串扰同时,减小了开关损耗与开关延时。 | 李辉 黄樟坚 廖兴林 钟懿 王坤 | 2019 | 电工技术学报2019，34，2： | 30 |
| 9 | 基于MOSFET的固体开关技术实验研究显示文摘 采用两只1kVMOSFET器件及驱动模块和高带宽光纤收发对,研究了固体开关技术中的触发信号高压隔离、功率MOSFET器件栅极驱动及MOSFET串并联使用等关键技术。单器件开关获得了1kV,13A,4MHz重复频率的脉冲串输出。两器件并联开关获得了130A,2MHz的输出。两器件串联开关获得了1 6kV,2MHz重复频率脉冲串输出。 | 赵军平 章林文 李劲 | 2004 | 强激光与粒子束2004，16，11： | 28 |
| 10 | SiC功率器件的开关特性探究显示文摘与Si功率器件相比,SiC功率器件因其阻断电压高、开关频率高和工作温度高的性能特点,显示出广阔的应用前景。本文分析了SiC肖特基二极管和SiC MOSFET的开关特性,重点研究其与Si功率器件的特性与应用差异。设计制作了基于Buck变换器的测试实验样机,分别采用Si功率器件和SiC功率器件进行测试,对测试结果进行了对比分析。实验结果验证了文中分析的开关特性差异,从而为SiC功率器件的优化选择和应用提供了一定依据。 | 赵斌 秦海鸿 马策宇 袁源 钟志远 | 2014 | 电工电能新技术2014，33，3： | 25 |
| 11 | 功率MOSFET高速驱动电路的研究显示文摘基于特定情况下对驱动电路特殊的要求 ,介绍了一种输出电流大、带负载能力强的MOSFET高速驱动电路。对电路的工作特性进行了详细的讨论 ,并给出了不同频率下该电路的实验结果。 | 鲁莉容 李晓帆 蒋平 | 2001 | 电力电子技术2001，35，6： | 24 |
| 12 | SiC电力电子器件研究现状及新进展显示文摘由于硅材料本身的限制,传统硅电力电子器件性能已经接近其极限,碳化硅(SiC)器件的高功率、高效率、耐高温、抗辐照等优势逐渐突显,成为电力电子器件一个新的发展方向。综述了SiC材料、SiC电力电子器件、SiC模块及关键工艺的研究现状,重点从材料、器件结构、制备工艺等方面阐述了SiC二极管、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、结晶型场效应晶体管(JFET)、双极结型晶体管(BJT)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)及模块的研究进展。概述了SiC材料、SiC电力电子器件及模块的商品化情况,最后对SiC材料及器件的发展趋势进行了展望。 | 刘佳佳 刘英坤 谭永亮 | 2017 | 半导体技术2017，42，10： | 24 |
| 13 | SiC MOSFET短路检测与保护研究综述显示文摘随着宽禁带半导体器件的发展,SiC MOSFET被广泛应用于工业领域,其短路保护也越来越多地为人们所重视。本文首先对SiC MOSFET的短路类型进行讨论,给出不同短路类型下的主要电路波形;然后本文对近年来SiC MOSFET短路检测与保护方法进行概述,详细介绍去饱和检测法、电感检测法、门极电压检测法以及基于罗氏线圈的短路检测法的原理,归纳总结各种检测方案的优缺点;最后提出一种降栅压短路保护电路,实现了SiC MOSFET在短路情况下的两级快速保护。 | 吴海富 张建忠 赵进 张雅倩 | 2019 | 电工技术学报2019，34，21： | 24 |
| 14 | 基于IR2110的H桥可逆PWM驱动电路应用显示文摘自举式半桥驱动器芯片IR2110应用成功的关键是合理配置自举电路参数,并对IR2110的应用特点有充分的了解。详细介绍了IR2110自举电路的工作原理和应用特点,自举电容等参数的估算方法、以及IR2110的相关保护电路。基于TMS320LF2407A的他励直流电机调速系统实验表明:应用IR2110组成H桥可逆PWM驱动电路,成功实现了他励直流电机软启动与减速制动,具有隔离接口简单、运行稳定可靠等显著特点。还讨论了IR2110自举电路的不足,对采用IR2210的直流电机功率驱动电路设计有很好的参考价值。 | 张小鸣 卢方民 | 2012 | 常州大学学报(自然科学版)2012，24，4： | 23 |
| 15 | 基于栅极驱动回路的SiC MOSFET开关行为调控显示文摘碳化硅(silicon carbide,SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)与硅绝缘栅双极型晶体管相比,具有更低的开关损耗,更快的开关速度。但是,其高速开关过程对寄生参数非常敏感,容易激发高频振荡和过冲,给器件和电力电子装置的高效、安全运行带来不利影响。针对栅极驱动回路对器件开关行为的作用机理,基于电感钳位双脉冲测试电路,分析了SiC MOSFET开关过程的电路模型,并利用其数学模型分析了SiC MOSFET开关行为的典型特征,分析了不同栅极电阻、栅源电容、栅极驱动电压对开关行为的调控规律。分析发现,这些调控方法在抑制振荡和过冲的同时,会降低器件的响应速度,增加开关损耗。实验结果验证了模型与分析的正确性和有效性,可为SiC MOSFET的应用研究提供有益的支撑。 | 曾正 邵伟华 陈昊 胡博容 陈文锁 李辉 冉立 张瑜洁 秋琪 | 2018 | 中国电机工程学报2018，38，4： | 22 |
| 16 | SiC MOSFET的Saber建模及其在光伏并网逆变器中的应用和分析显示文摘SiC MOSFET高频、高效、高功率密度的特性符合光伏逆变器的发展趋势,但随之而来的开关振荡问题亟待解决。开关频率提升后,由于开关振荡的存在,可能导致高频下的并网电流波形质量下降,因此需要建立精准的模型来为SiC MOSFET在光伏逆变器中的应用提供指导。目前的SiC MOSFET模型大多基于Pspice的仿真环境建立的,不能用于包含复杂的电路拓扑和控制算法的仿真研究。基于Saber环境提出一种可以将SiC MOSFET与光伏逆变器结合的模型,通过双脉冲实验得出SiC MOSFET的器件特性,对SiC MOSFET的静态特性和非线性电容进行建模。最后将模型运用到光伏并网逆变器中,将仿真结果与搭建的光伏并网逆变器实验平台实测结果进行对比,并对SiC光伏并网逆变器在不同开关频率情况下的性能进行分析和研究,验证了模型的准确性和适用性。 | 周林 李寒江 解宝 李海啸 聂莉 | 2019 | 电工技术学报2019，34，20： | 22 |
| 17 | SiC MOSFET特性及其应用的关键技术分析显示文摘SiC MOSFET(silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)以其优越的特性受到国内外学者的广泛关注,采用SiC器件的变换器能够采用高的开关频率、适应高温工作,实现高的功率密度,在一些应用场合能够代替Si基高频开关器件而显著提高电能变换装置的性能。然而,SiC器件与Si器件存在较大的差异,在实际应用中直接替换使用会存在诸多的问题,例如提高工作频率后产生的桥臂串扰、电磁干扰EMI(electromagnetic interference)等问题。目前已有大量关于SiC MOSFET应用研究的文献,但大部分都是针对SiC MOSFET应用中个别问题的研究,尚缺少对SiC MOSFET应用研究成果的系统性归纳与总结的文献。首先基于对SiC MOSFET与Si MOSFET/IGBT(insulated gate bipolar transistor)的静态、动态特性的对比,总结出SiC MOSFET在实际应用中需要关注的重点特性;然后从SiC MOSFET建模、驱动电路设计、EMI抑制以及拓扑与控制方式的选择等方面对已有的研究成果进行归纳与评述;最后指出了SiC MOSFET在应用中所需要研究解决的关键问题。 | 张斌锋 许津铭 钱强 张曌 谢少军 | 2016 | 电源学报2016，14，4： | 20 |
| 18 | 基于优化对称布局的多芯片SiC模块动态均流显示文摘由于开关速度非常快,多芯片并联碳化硅(silicon carbide,SiC)功率模块的电压、电流振荡问题比硅(silicon,Si)器件更加突出,对寄生参数的要求也更高。然而,现有的商业化大功率SiC模块采用多芯片并联模式,大多沿用Si器件的封装技术,寄生参数不仅偏大,且存在明显的不对称性,不能充分发挥SiC器件的优越性能,亟需新的封装结构,以改善模块内的电热应力分布。首先,针对直接覆铜板(direct bonded copper,DBC)寄生电感的计算,提出两种简化计算方法,并将计算结果与有限元进行对比,基于这两种方法进行新型DBC布局的辅助设计,针对几种不同的三芯片并联功率模块,对比研究DBC布局对寄生参数分布、电流分布特性的影响,揭示寄生参数对多芯片并联模块电流分布的影响机理。最后,提出一种物理对称的新型功率模块封装结构,以实现各芯片间的电流均衡。对比分析表明,所提出的新型DBC布局能够显著减小回路之间的寄生参数差异,提升了SiC芯片间的电流分布一致性,有利于提升并联芯片额定电流的使用率,改善模块电–热应力的均衡性。 | 邵伟华 冉立 曾正 李晓玲 胡博容 廖兴林 李辉 | 2018 | 中国电机工程学报2018，38，6： | 20 |
| 19 | SiC MOSFET驱动电路及实验分析显示文摘根据SiC MOSFET开关特性,设计了一种SiC MOSFET的驱动电路,在此基础上采用双脉冲测试方法,对SiC MOSFET的开关时间、开关损耗等进行了实验测量,分析了不同驱动电阻对SiC MOSFET开关时间、开关损耗等的影响。 | 张旭 陈敏 徐德鸿 | 2013 | 电源学报2013，11，3： | 20 |
| 20 | 大功率SiC MOSFET驱动电路设计显示文摘在实际工程应用的基础上,针对50k W/1MHz的高频感应加热大功率SiC MOSFET电路要求及SiC MOSFET开关特性进行开发研究。通过对SiC MOSFET的开通过程特性进行详细研究,得出使其可靠、安全驱动的要求,在现有已经成熟应用的Si MOSFET驱动电路基础上对其进行改进,研究适合工作在兆赫范围内的SiC MOSFET驱动电路。并采用双脉冲实验验证所设计驱动电路的基本特性及确定最佳门极电阻参数。 | 彭咏龙 李荣荣 李亚斌 | 2015 | 电测与仪表2015，52，11： | 19 |
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