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1高硅铝合金电子封装材料研究进展显示文摘阐述电子封装材料的基本要求,论述高硅铝合金材料的研究概况及其性能特点,分析熔炼铸造、浸渗法、快速凝固/粉末冶金和喷射沉积制备方法的优缺点,并指出高硅铝合金电子封装材料的发展方向。解立川 彭超群 王日初 王小锋 蔡志勇 刘兵 2012中国有色金属学报2012,22,9:45
2电子封装用金属基复合材料的研究进展显示文摘金属基复合材料凭借其优异的性能以及较成熟的制备工艺,成为电子封装领域研究的重要方向之一。综述典型的电子封装用金属基复合材料的研究现状,阐述金属基复合材料的热物理性能设计,列举铝基、铜基电子封装复合材料热物理性能的影响因素和改进措施,介绍常见的制备方法,最后对金属基电子封装材料的发展趋势进行展望。曾婧 彭超群 王日初 王小锋 2015中国有色金属学报2015,25,12:40
3高SiCp或高Si含量电子封装材料研究进展显示文摘高体积分数的SiCp/Al复合材料和高Si含量Al-Si合金具有高导热、膨胀系数可调、低密度等特性,成为理想的电子封装材料。结合笔者的研究成果,详细介绍了目前国内外该材料的制备工艺及应用情况,指出了各工艺方法在规模化商业生产中存在的不足,展望了未来研究及发展的方向。钟鼓 吴树森 万里 2008材料导报2008,22,2:32
4新型电子封装材料的研究现状及展望显示文摘综合论述了各类新型电子封装材料的优势及不足之处,同时指出了目前我国新型电子封装材料所存在的问题及进一步完善的措施,并预测了电子封装用金属基复合材料的应用前景.郑小红 胡明 周国柱 2005佳木斯大学学报(自然科学版)2005,23,3:21
5喷射沉积70%Si-Al合金电子封装材料的组织与性能显示文摘采用喷射沉积与热压相结合的方法制备电子封装用70%Si-Al合金坯料,采用扫描电镜和金相显微镜观察合金的显微组织。结果表明:采用喷射沉积与热压相结合的方法可获得直径为76.2mm、厚度为6mm的70%Si-Al合金样品;合金中初晶Si的长大受到抑制,初晶Si相的尺寸仅为20~50μm,分布均匀且形成连续骨架;Al相围绕Si相间隙呈连续网络分布,这种结构有利于提高材料热导率,降低其线膨胀系数;通过与后续热压相结合制备的70%Si-Al合金样品,其室温热导率达到110W/(m·K),400℃时线膨胀系数仅为9.6×10-6/K。李超 彭超群 余琨 王日初 杨军 刘溶 2009中国有色金属学报2009,19,2:17
6喷射成形硅铝电子封装材料的电镀及钎焊性能显示文摘喷射成形高硅铝合金材料因具有低热膨胀系数、高热导率和低密度等特性,而成为一种具有广阔应用前景的新型电子封装材料。然而,喷射成形硅铝系合金中硅含量很高,其焊接性能较差。采用镀金、钎焊的方法研究了喷射成形硅铝合金材料的电镀及焊接性能;用扫描电镜对镀层及钎焊层形貌进行观察,用能谱仪对镀层及焊接层进行成分线扫描分析。结果表明,喷射成形硅铝合金材料易于电镀,电镀后镀层致密、均匀,与基体之间结合良好;焊接之前对喷射成形硅铝合金进行电镀可改善其与焊料之间的润湿性,材料焊接性能得以显著改善,可满足电子技术行业对封装材料的焊接工艺性能要求。李志辉 张永安 熊柏青 刘红伟 魏衍广 张济山 2010稀有金属2010,34,5:11
7快速凝固硅铝合金材料的组织与性能显示文摘针对电子信息工业对新型结构功能一体化电子封装材料的应用需求,采用喷射成形与热压致密化相结合的方法制备高Si含量(质量分数为50%~70%Si)的系列Si-Al合金,并利用金相显微镜、扫描电镜、硬度测试仪、热膨胀仪等手段研究该材料的显微组织、力学性能和热物理性能。结果表明,喷射成形高硅铝合金的沉积态显微组织细小弥散,初生硅呈不规则形状,均匀弥散地分布在铝基体中;对沉积坯件进行适当的热压致密化处理可以有效地消减喷射成形制坯工艺过程中所形成的疏松和孔洞,提高材料的致密度。经热压致密化处理的喷射成形高硅铝合金材料具有优越的热物理性能以及良好的力学性能,是一种综合性能优越的结构功能一体化电子封装材料。李志辉 张永安 熊柏青 朱宝宏 刘红伟 王锋 魏衍广 张济山 2010稀有金属材料与工程2010,39,9:10
8喷射成形70Si30Al电子封装材料致密化处理及组织性能研究显示文摘利用喷射成形技术制备了70Si30Al合金沉积坯件。对沉积坯件进行了差示扫描热分析,研究了热压温度对致密化效果的影响,在560,570,580,590℃下保温0.5h后220MPa保压2h进行了热压致密化处理;研究了压强对致密化效果的影响,在570℃保温0.5h后160,220,300,410MPa保压2h进行了热压致密化处理,测试了材料的密度、热膨胀系数和热导率。结果表明:喷射成形70Si30Al合金在566.4℃时有熔化相出现,理想的致密化工艺参数为570℃保温0.5h后220~300MPa保压2h,此工艺致密化处理后的喷射成形70Si30Al的密度为2.421×103kg.m-3,25℃时的热膨胀系数为6.9×10-6K-1,50℃时的热导率为118K.(W.m-1.K-1)-1。刘红伟 张永安 朱宝宏 王锋 魏衍广 熊柏青 2007稀有金属2007,31,4:10
9新型高硅铝合金电子封装复合材料的研究进展显示文摘微电子集成技术的快速发展对封装材料提出了更高的要求。具有低膨胀系数、轻质化、较高导热率的新型A l-S i复合材料受到了广泛的重视。文章详细介绍了高硅铝合金电子封装材料的性能特点、制备方法以及研究现状,指出了高硅铝合金电子封装材料的发展方向。徐高磊 李明茂 2007铝加工2007,30,6:8
10环保型电子封装用Sip/Al复合材料性能研究显示文摘为研究电子封装用Sip/Al复合材料热物理及力学性能,利用挤压铸造方法制备了体积分数为65%的Sip/LDll(A1—12%Si)可回收环保型复合材料.采用TEM观察、膨胀仪、激光导热综合测试仪以及万能电子拉伸试验机等设备及技术对复合材料进行研究.结果表明:Sip/LDll复合材料组织致密,材料中未观察到孔洞和缺陷;20~50℃时复合材料的热膨胀系数为8.1X10^-6/℃,并随着温度的升高而增加,退火处理能够降低复合材料的热膨胀系数;Sip/LDll复合材料铸造状态和热处理状态的热导率分别为132.9、160.1w/m·℃,复合材料的弯曲强度和比模量较高;可以采用化学镀方法在复合材料表面涂覆M层,镀层结合强度良好,是一种优异的电子封装用复合材料.武高辉 修子扬 孙东立 张强 宋美慧 2006材料科学与工艺2006,14,3:7
11液固分离法制备Al-65vol%Si电子封装材料组织及性能显示文摘采用液固分离法制备了Al-65vol%Si电子封装材料,借助扫描电镜、透射电镜等手段分析了合金中Si相的形态分布、界面及断口形貌,测定了合金的热膨胀系数、热导率及抗弯强度。结果表明:Al-65vol%Si合金组织中硅相颗粒分布均匀,形状规则呈近团球状和短杆状,Al/Si两相界面光滑、平直,无缺陷。合金密度2.4 g/cm3,室温下的热导率(TC)为119.5 W/(m.K),热膨胀系数(CTE)从50℃到400℃在6.5×10-6~11.3×10-6/K范围内稳定增加,抗弯强度为132 MPa,Si相的脆性断裂为主要断裂方式。Al-65vol%Si合金性能满足电子封装要求。李艳霞 刘俊友 刘国权 贾琪瑾 2012材料热处理学报2012,33,3:7
12喷射成形70Si30Al合金在加热保温过程中显微组织的演变规律显示文摘利用喷射成形技术制备了70Si30Al合金新型电子封装材料,研究了沉积态合金的显微组织及其随温度变化的规律。结果表明:沉积态70Si30Al合金显微组织细小,初生硅相为不规则的块状,均匀弥散分布,初生硅相之间主要是过饱和α(Al)相和铝硅伪共晶相;70Si30Al合金在620℃以下保温90min,初生硅相没有明显长大,但随着温度的升高出现球化现象,过饱和α(AI)相没有显著变化,铝硅伪共晶相在566~582℃之间熔化,随着温度的升高,熔化相增多并互相凝聚在一起;合适的喷射成形70Si30Al合金热加工变形温度为560~590℃。魏衍广 熊柏青 张永安 刘红伟 朱宝宏 王锋 2006中国有色金属学报2006,16,4:7
13(Al_2O_3+Si)_p/Al系铝基复合材料的原位制备及性能显示文摘以Al-Si O2为体系,通过粉末冶金液相烧结的方法原位合成(Al2O3+Si)p/Al系铝基复合材料,利用XRD、DSC和SEM等测试技术测试了复合材料的相组成、密度、电导率及热膨胀性能,观察了Si相和Al2O3相的形貌并分析了相与相之间的反应界面。结果表明,通过该方法可以制备出具有优良性能的电子封装材料,其密度、电导率和热膨胀系数分别达到了2.5 g/cm3、10-7Ω·m和5×10-6/K。原位生成的Al2O3相多数呈圆球状颗粒,Si相以片状形成,随着烧结温度的提高,两种相和基体结合紧密,分布更加均匀分散,且无界面反应物生成。张松利 张振坤 赵玉涛 2015材料热处理学报2015,36,1:6
14粉末粒度对高硅铝合金显微组织及性能的影响显示文摘通过对快速凝固高硅铝合金粉末(Al30%Si)进行真空包套热挤压,制备出高硅铝合金电子封装材料,研究了粉末粒度对高硅铝合金材料组织及性能的影响。利用金相显微镜、扫描电镜、万能电子拉伸机、差热分析仪、TR2热物性测试仪等设备系统测试和分析了该材料的显微组织、力学和物理性能。结果表明原始粉末颗粒尺寸大小能显著影响材料热挤压后的显微组织和性能。原始粉末颗粒越细小,其硅相越细小、抗拉强度和致密度越高、气密性越好、热导率和热膨胀系数越低。甘卫平 陈招科 杨伏良 2005中国有色金属学报2005,15,5:6
15新型硅基铝金属高性能电子封装复合材料研究显示文摘微电子集成技术的快速发展对封装材料提出了更高的要求。在传统封装材料已不能满足现代技术发展需要的情况下,新型硅基铝金属复合材料脱颖而出,以其优异的综合性能成为备受关注的焦点。高体积分数硅基体带来的低热膨胀系数能很好地与芯片相匹配,连通分布的金属(铝)确保了复合材料的高导热、散热性,两者的低密度又保证了复合材料的轻质,尤其适用于高新技术领域。重点探讨了硅基铝金属铝复合材料的主要制备技术及其组织性能机理,并对其未来发展作出展望。林锋 冯曦 李世晨 任先京 贾贤赏 2006材料导报2006,20,3:5
16液固分离和喷射沉积制备Al-45%Si合金的组织及性能(英文)显示文摘对液固分离法(LSS)和喷射沉积法(SD)制备的Al-45%Si合金组织和性能进行研究。结果表明,两种方法制备的合金中初生Si相具有不同的尺寸、形态和分布,从而对合金性能产生不同的影响。采用喷射沉积法制备的合金中硅相形状不规则,尺寸细小并在空间连续分布。液固分离法制备的合金中硅相形态呈近球形,尺寸较大并被连续的铝基体包覆。与喷射沉积合金相比,液固分离制备合金具有更高的热导率和更低的低温热膨胀系数,但由于硅颗粒尺寸较大,力学性能低于喷射沉积合金。硅相的分布形式对热膨胀系数的增加速率影响显著,其中喷射沉积法制备的合金中硅相连续分布有利于获得低的增加速率。由于组织特征的不同,液固分离制备合金的热膨胀系数预测模型与喷射沉积制备的合金有区别。李艳霞 刘俊友 王文韶 刘国权 2013Transactions of Nonferrous Metals Society of China2013,23,4:4
17快速凝固高硅铝合金的发展现状及制备方法显示文摘介绍了快速凝固高硅铝合金的发展现状及主要制备工艺,并展望了其发展趋势。张利军 谢敬佩 王爱琴 2012稀有金属与硬质合金2012,40,6:3
18铜基电子封装材料研究进展显示文摘介绍了国内外铜基电子封装材料的研究现状及最新发展动态,指出了目前我国新型铜基电子封装材料研究中所存在的问题及进一步完善的措施,预测了电子封装用铜基复合材料的发展趋势和应用前景.未来的铜基电子封装材料将朝着高性能、低成本、轻量化和集成化的方向发展.王常春 朱世忠 孟令江 2008临沂师范学院学报2008,30,6:3
19烧结温度对粉末冶金Al-24Si合金组织与性能的影响显示文摘采用粉末冶金法制备Al-24Si合金,研究了烧结温度(550~610℃)对合金组织、密度和硬度的影响。结果表明:不同温度烧结合金的显微组织均主要由铝相和硅相组成,当烧结温度达到600℃及以上时,组织中还析出了Mn4Al16Si3相;当烧结温度低于580℃时,随温度升高,合金组织中铝颗粒之间的间隙数量减少,合金的密度和硬度增大;当烧结温度达到580℃时,铝和硅形成的共晶液相渗入铝颗粒间界面,而在原先液相位置留下较大孔洞,导致合金孔隙率增大,密度和硬度减小;当烧结温度达到590℃时,共晶液相含量增加,填充内部孔隙,导致合金密度和硬度增大。邓正华 张聪 王海宝 左都全 2019机械工程材料2019,43,7:1
20大功率GaN芯片封装的设计与热分析显示文摘文中以硅铝合金为封装材料,分别采用AlN,Al_(2)O_(3),聚四氟乙烯作为芯片基板,设计出一种适用于大功率GaN芯片的封装模型。利用ANSYS软件,模拟模型中GaN芯片在循环温度-55~125℃条件下的热应力分布情况。研究结果表明,以聚四氟乙烯为基板的模型芯片所受应力最大,Al_(2)O_(3)次之,AlN最小。研究结果对新型航空航天器件中大功率芯片封装设计提供了参考依据。张杰 禹胜林 马美铭 王雨壮 2021焊接2021,,8:1
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