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    题名 作者 年代 出处 被引量
1形状记忆材料的新进展显示文摘除高分子形状记忆材料外,按目前发展态势,将形状记忆材料分为四类:(1)具热弹性马氏体相变、呈温控形状记忆效应(SME)的材料,(2)具半热弹性马氏体相变,由应力诱发马氏体,呈SME的材料,(3)具热弹性马氏体相变、由温控及磁控呈SME的铁磁材料,(4)具热弹性马氏体相变,在马氏体态由磁控呈现SME的材料.简述前一、二类材料的发展现状.阐述三、四类材料的研究现状和应用前景.徐祖耀 金学军 2004功能材料2004,35,z1:1
2磁控形状记忆合金Ni_2MnGa解析模型及特性显示文摘系统地阐述了磁控形状记忆合金的微结构、相变机理和形状记忆效应。利用自行设计的实验装置研究了Ni2MnGa合金样品在静态直流下的应力、磁场和形变之间的关系,绘出了不同压应力下磁场强度与变形的实验曲线,给出了O'Handley解析热力学模型,并与实验结果进行了比较。实验结果证明,Ni2MnGa合金变形率随着压应力的增加而减小,随磁场强度的增加而增大。这为Ni2MnGa合金的实际应用打下了理论和实验基础。张庆新 王凤翔 张红梅 2006辽宁工程技术大学学报(自然科学版)2006,25,5:0
3Hg_2CuTi型Mn_2NiGe合金的电子结构、磁性对压力、四方变形的响应显示文摘运用基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究了Hg_2CuTi型Mn_2NiGe合金的电子结构对外加压力的响应以及Mn_2NiGe的电子结构、磁性对四方变形的响应.结果表明:i)随着外加压力的增加,因Ni、Mn原子间距的减小而导致杂化程度的增强,使得态密度整体向低能区域移动,同时,态密度幅度整体略有减小;ii)在由奥氏体相到马氏体相的变形中,同样因Ni、Mn原子间距的减小而导致杂化程度的增强,占据态的态密度向低能区域移动,体系的能量降低,同时,成键态向低能方向移动,反键态向高能方向移动,能带变宽,成键作用加强,最终导致在马氏体相中的稳定性增大;iii)在四方变形过程中,Mn_2NiGe总磁矩的变化主要由Ni原子磁矩的变化所产生.罗礼进 仲崇贵 方靖淮 赵永林 周朋霞 江学范 2011原子与分子物理学报2011,28,4:0
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