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| 1 | 钛-氢体系的物理化学性质显示文摘综合评述了钛-氢体系的物理化学性质。钛是一种具有同素异型转变点Tc(1155K)的吸氢金属,氢在α钛和β钛中有不同的溶解度,在Tc以下易形成具有面心立方晶格结构的Ti H2,氢原子溶解在晶格中,占据四面体间隙位(T)。钛加热吸氢时晶格发生膨胀,产生体胀效应,当温度降低时氢化物又会沿惯习面发生偏析。氢在钛中的扩散在高温时表现为正常扩散即lnD与1/T呈直线关系,在低温时存在隧道扩散。钛-氢体系的热力学p-c-T曲线表现出良好的平台性且在高于593K时存在两个平台。测定了钛-氢体系的反应的动力学扩散活化能和表观活化能。 | 黄刚 曹小华 龙兴贵 | 2006 | 材料导报2006，20，10： | 22 |
| 2 | 中子管靶材料对中子输出和溅射产额的影响显示文摘中子管的中子产额和寿命受靶性能影响,利用SRIM(The Stopping and Range of Ions in Matter)2008模拟计算不同束流和高压条件下钛靶的中子产额,并与3He中子监测仪测量结果进行比较,实验和模拟结果符合较好。模拟计算不同能量氘离子在不同含量的钪钛、钼钛、铌钛三种合金的中子输出和溅射产额。结果表明:入射离子能量为120 keV、合金比例为0.2的钪钛合金中子产额最高,模拟值可达1.24×10~9 s^(-1);合金比例为0.6的钪钛合金,金属原子和氚原子溅射产额较低;与钼钛和铌钛两种合金相比,钪钛合金的中子输出高,而溅射产额低。 | 年瑞雪 景士伟 | 2018 | 核技术2018，41，8： | 2 |
| 3 | 离子源及厚靶参数对氘氚反应中子源中子产额的影响显示文摘用厚靶氘氚(D-T)反应中子产额的计算方法模拟计算了入射氘离子能量为120 keV时D-T中子源的中子产额。研究了氘离子源产生的束流中单原子氘离子(D+)及双原子氘离子(D2+)比例对中子产额的影响。结果表明,提高D+比例,同时降低D2+比例将有效提高中子产额。另外还研究了不同靶膜材料及组分引起的中子产额变化。表明中子产额与靶膜中氚的含量成正比,与靶膜元素的原子质量成反比。同时分析讨论了离子源品质及靶参数对中子源整体性能的影响,得出离子源束流品质的提高对中子源整体的设计至关重要。最后,模拟计算了靶膜表面有氧化层情况下中子产额的变化,并与实验结果作了对比。在此基础上提出了一种新的靶设计方案,并对其物理可行性进行了研究。 | 杨振 龙继东 蓝朝晖 董攀 彭宇飞 石金水 | 2012 | 核技术2012，35，8： | 2 |
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