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出处
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| 1 | Si基氨化ZnO/Ga_2O_3薄膜制备GaN纳米线显示文摘利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上溅射ZnO中间层和Ga2O3 薄膜,然后在管式炉中常压下通氨气对ZnO/Ga2O3 薄膜进行氨化,高温下ZnO层在氨气气氛中挥发,而Ga2O3 薄膜和氨气反应合成出GaN纳米线.X射线衍射测量结果表明利用该方法制备的GaN纳米线具有沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿结构.利用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、傅里叶红外透射谱、能量弥散谱及选区电子衍射观测并分析了样品的形貌、成分和晶格结构.研究发现ZnO层的挥发有利于Ga2O3 和NH3 反应合成GaN纳米线. | 高海永 庄惠照 薛成山 王书运 何建廷 董志华 吴玉新 田德恒 | 2005 | Journal of Semiconductors2005，26，5： | 3 |
| 2 | 退火温度对硅基GaN薄膜质量的影响显示文摘采用电泳沉积法在Si(111)衬底上制备GaN薄膜,并研究退火温度对GaN薄膜晶体质量、表面形貌和发光特性的影响。傅立叶红外吸收谱(FTIR)、X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)的测试结果表明所得样品为六方纤锌矿结构的GaN多晶薄膜,随退火温度的升高,晶粒尺寸增大,结晶化程度提高。室温下光致发光谱的测试发现了位于367 nm处的强发光峰和437 nm处的弱发光峰,其发光强度随退火温度的升高而增强,但发光峰的位置并不发生移动。 | 吴玉新 薛成山 庄惠照 田德恒 刘亦安 何建廷 艾玉杰 孙莉莉 王福学 | 2007 | 固体电子学研究与进展2007，27，4： | 1 |
| 3 | Si基GaN薄膜的制备方法及结构表征显示文摘分别采用射频磁控溅射、热壁化学气相沉积(CVD)、电泳沉积法制备GaN薄膜。利用扫描电镜(SEM)、荧光光谱仪对样品进行结构、形貌和发光特性的分析比较。射频磁控溅射方法中,把SiC中间层沉淀到Si衬底上,目的是为了缓冲由GaN外延层和Si衬底的晶格失配造成的应力。结果证实了SiC中间层提高了GaN薄膜的质量。热壁化学气相沉积法制备GaN晶体膜时,选择H2作反应气体兼载体,有利于GaN膜的形成。电泳沉积法显示所得样品为六方纤锌矿结构的GaN多晶薄膜。结果表明:溅射法制备的GaN薄膜结晶效果好;CVD法制备时GaN薄膜应用范围广;电泳沉积法操作方便、简单易行。 | 张敬尧 李玉国 崔传文 张月甫 卓博世 | 2008 | 微纳电子技术2008，45，4： | 1 |
| 4 | Synthesis of GaN films on porous silicon substrates显示文摘一个新奇、简单的方法被采用综合在多孔的硅(PS ) 上轧了电影底层。轧了电影通过在与磁控管劈啪作响在底层上扔的 NH_3 和 Ga_2O_3 电影之间的反应被获得。后来轧了并且 PS 都是为光的好材料,获得一些新性质从被期望在 PS 上轧了。样品与 X 光检查衍射(XRD ) 被分析识别晶体结构。Fourier 播送红外线(FTIR ) 光谱被用来分析样品的化学状态。电影是装电子显微镜学(SEM ) 的观察 withs 并且被发现由许多大水晶谷物组成。光致发光(PL ) 光谱被用来照亮光性质轧了电影。 | DONG Zhihua XUE Chengshan ZHUANG Huizhao GAO Haiyong TIAN Deheng WU Yuxin | 2006 | Rare Metals2006，25，1： | 0 |
| 5 | RF磁控溅射和氨化法制备GaN纳米棒和纳米颗粒显示文摘利用射频磁控溅射法分别溅射ZnO中间层和Ga2O3薄膜到Si(111)衬底上,然后ZnO/Ga2O3薄膜在管式石英炉中常压下通氨气进行氨化,高温下ZnO在氨气气氛中被还原生成Zn而升华,而在不同的氨化时间下Ga2O3和氨气反应合成出GaN纳米棒和纳米颗粒。X射线衍射(XRD)测量结果表明,利用该方法制备GaN纳米棒和颗粒具有沿c轴择优取向生长的六方纤锌矿结构。利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、傅里叶红外透射谱(FTIR)及选区电子衍射(SAED)观测和分析了样品的形貌、成分和晶格结构。研究分析了此种方法合成GaN纳米结构的反应机制。 | 胡丽君 庄惠照 高海永 何建廷 薛守斌 薛成山 | 2005 | 微纳电子技术2005，42，9： | 0 |
| 6 | Synthesis of GaN nanorods on Si substrates with assistance of the vola-tilization of ZnO middle layers显示文摘GaN nanorods have successfully been synthesized on Si(111) substrates via ammoniating ZnO/Ga2O3 films at 950°C. Ga2O3 thin films and ZnO middle layers were deposited in turn on Si(111) substrates by r.f. magnetron sputtering system. ZnO volatilized at 950°C in the ammonia ambience and Ga2O3 reacted to NH3 to fabricate GaN nanorods in the later ammoniating process. The volatilization of ZnO layers played an important role in the fabrication. The structure and composition of the GaN nanorods were studied by X-ray diffraction (XRD) and Fourier transform infrared spectropho-tometer (FTIR). The morphology of GaN nanorods was investigated using scanning electron microscopy (SEM) and trans-mission electronic microscope (TEM). The analyses of measured results revealed that GaN nanorods with hexagonal wurtz-ite structure were prepared by this method. | ZHUANGHuizhao GAOHaiyong XUEChengshan WANGShuyun DONGZhihua HEJianting | 2005 | Rare Metals2005，24，2： | 0 |
| 7 | 氮化ZnO/Ga_2O_3薄膜合成GaN纳米管显示文摘利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO中间层,接着溅射Ga2O3薄膜,然后ZnO/Ga2O3薄膜在管式炉中常压下通氨气进行氮化,高温下ZnO层在氨气的气氛中挥发,而Ga2O3薄膜和氨气反应合成出GaN纳米管.X射线衍射(XRD)测量结果表明利用该方法制备的GaN具有沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿结构.利用傅里叶红外光谱(FTIR)研究了所制备样品的光学性质.利用透射电子显微镜(TEM)和选区电子衍射(SAED)观测了样品的形貌和晶格结构. | 庄惠照 高海永 薛成山 王书运 何建廷 董志华 | 2007 | 材料科学与工艺2007，15，1： | 0 |
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