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| 1 | X射线衍射分析热处理温度对透明导电膜结构与导电性能的影响显示文摘采用溶胶-凝胶法以铟、锡氯化物为前驱物制备不同热处理温度下的ITO膜,对制备的ITO膜样品进行X射线衍射分析。研究表明热处理温度对ITO膜的衍射峰相对强度、晶粒尺寸和晶格常数有较大的影响,随着热处理温度的增加,ITO膜随机取向增加,晶粒增大,晶格常数在400℃时畸变最小。热处理温度为450℃时ITO膜的择优取向较弱,晶粒较大,晶格畸变较小,ITO膜的方阻最小。 | 马颖 韩薇 张方辉 | 2005 | 液晶与显示2005，20，4： | 8 |
| 2 | 膜层厚度对蓝宝石衬底上生长的ITO薄膜性质的影响显示文摘采用磁控溅射的方法在蓝宝石衬底上制备了氧化铟锡(ITO)透明氧化物薄膜;研究了不同厚度薄膜的结构、光学和电学特性。经X射线衍射(XRD)测量,发现在蓝宝石衬底上生长的ITO薄膜呈现了较高的(222)择优取向;随着膜层厚度的增加,该衍射峰对应的2θ衍射角逐渐向大角度方向移动,同时该衍射峰的半峰全宽逐渐减小,平均晶粒尺寸增大。经光学透射光谱测量,发现随着膜层厚度的增加,光学透过率逐渐减小。膜层厚度为0.2μm时,可见光透过率超过80%,当膜层厚度为0.8μm时,可见光透过率下降到60%。电学测量结果表明,随着膜层厚度的增加,薄膜电阻率逐渐减小。膜层厚度为0.2μm时,电阻率为9×10-4Ω·cm,膜层厚度为0.8μm时,电阻率为5.5×10-4Ω·cm。 | 王新 向嵘 李野 王国政 付申成 端木庆铎 姜德龙 吴奎 | 2009 | 发光学报2009，30，5： | 1 |
| 3 | 脉冲偏压对磁控溅射制备ITO薄膜性能的影响显示文摘室温下,利用脉冲偏压辅助射频磁控溅射方法,在玻璃衬底上制备了铟锡氧化物(ITO)薄膜。研究了当占空比为20%时,脉冲偏压大小对薄膜结构、形貌、光电特性的影响。实验结果表明:当偏压为40V时,薄膜(400)方向晶粒尺寸最大,为60.6nm,此时薄膜结晶程度最好,其电阻率和霍尔迁移率分别为3.78×10^(-4)Ω·cm、33.22 cm2·V^(-1)·s^(-1),可见光波段平均透过率为85%,性能优异。 | 王昆仑 辛艳青 | 2018 | 真空2018，55，2： | 1 |
| 4 | 玻璃和柔性衬底上氧化铟锡薄膜特性的对比研究显示文摘对采用磁控溅射方法生长在玻璃和柔性聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)塑料上的氧化铟锡(ITO)薄膜的结构、光学和电学特性进行了对比研究。在两种不同的衬底上均得到了不分相的、高质量的多晶ITO薄膜,其中生长在玻璃衬底上的ITO薄膜(002)衍射峰的半峰宽为0.24°,生长在PET衬底上的为0.28°。两种样品在可见光区都具有很高的透过率,其中玻璃衬底上生长的薄膜的透过率约为92%,PET上生长的薄膜的透过率高达87%。两种薄膜均具有良好的导电性,玻璃衬底上薄膜的电阻率为4.2×10-4Ω.cm,柔性PET衬底上薄膜的电阻率为4.7×10-4Ω.cm。实验结果证明,完全可以采用磁控溅射的方法在柔性衬底上生长出高质量的ITO薄膜。 | 王新 向嵘 任新光 李野 姜德龙 端木庆铎 | 2009 | 液晶与显示2009，24，3： | 1 |
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