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| 1 | 光控晶闸管正向过电压自保护机理研究显示文摘介绍了新型光控晶闸管(LTT)内部集成的一项非常重要的电气功能,即正向过电压自保护功能。通过在LTT光敏区内集成转折二极管(BOD),实现LTT正向过电压自保护功能。如果集成BOD转折电压太高,则不能有效保护晶闸管;如果集成BOD转折电压太低,则达不到LTT设计的阻断电压要求。这里通过计算机仿真技术和工艺实验验证的方法,成功揭示了LTT内部集成的正向过电压结构机理与硅单晶材料电阻率、PN结结构尺寸和温度的关系,从而精确设计和制造了LTT内部的转折电压,成功研制了5英寸3125 A/7600 V特高压LTT,并成功应用于'云南-广东±800 kV/5000 MW'特高压直流输电工程。 | 武霁阳 郝菁菁 崔春艳 彭光强 | 2020 | 电力电子技术2020，54，5： | 0 |
| 2 | 光控晶闸管的集成BOD转折电压显示文摘介绍了新型光控晶闸管,其集成了一个非常重要的电气功能,即正向过压保护功能。通过在光控晶闸管光敏区内集成转折二极管(BOD),实现光控晶闸管正向保护功能。如果集成BOD转折电压太高,不能有效保护晶闸管;若转折电压太低,则达不到光控晶闸管设计的阻断电压要求。通过计算机仿真技术和工艺实验方法,成功地揭示了光控晶闸管集成BOD转折电压与硅材料电阻率、pn结结构尺寸和温度的关系,从而精确设计了光控晶闸管集成BOD转折电压,研制了5英寸(1英寸=2.54 cm)3 125 A/7 600 V特高压光控晶闸管,并成功应用于'云南-广东±800 kV/5 000 MW'特高压直流输电工程中。 | 高山城 罗艳红 吴飞鸟 李玉玲 高飞 | 2014 | 半导体技术2014，39，6： | 0 |
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