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| 1 | 碳纳米管水平阵列的结构控制生长:进展与展望显示文摘碳纳米管水平阵列是指生长于平整基底上且与沿基底平行排列的一种碳纳米管类型。与其他类型的碳纳米管相比,水平阵列类型的碳纳米管具有很低的结构缺陷和优异的力学、电学、热学性能,在微电子、超强纤维、航空航天等尖端领域有广阔和重要的应用前景。这些应用对碳纳米管的缺陷浓度、手性分布、半导体型纯度及阵列密度等指标的要求十分严苛,因而碳纳米管水平阵列的结构控制与批量制备是其实现性能应用的关键。在过去的近三十年中,研究者们已在碳纳米管水平阵列的结构控制生长上取得了大量进展,但同时也面临不少挑战。本文对碳纳米管水平阵列的结构控制、批量制备及前沿应用的研究进展进行了回顾,并对其面临的挑战和未来发展方向进行了讨论。 | 石晓飞 姜沁源 李润 崔一鸣 刘青雄 魏飞 张如范 | 2021 | 化工学报2021，72，1： | 6 |
| 2 | Large-area growth of ultra-high-density single-walled carbon nanotube arrays on sapphire surface显示文摘获得高密度的、大区域的围单人赛的碳 nanotube (SWNT ) 的可伸缩的途径穿的 A 为在实际电子设备认识到 SWNT 的完整的潜力是必要的;这仍然是大挑战。这里,我们由联合特洛伊催化剂在蓝宝石表面上为 ultra-high-density SWNT 数组的大区域的生长报导一个改进合成方法(免除了底层,保证超离频密度) 与瞬间 nanoparticles (在表面上装载了,稳定释放特洛伊催化剂) 作为合作催化剂。稠密、非常排列的 SWNT 盖住全部底层,本地密度象 160 tubes/m 一样高。在如此的数组上造的地效果晶体管(联邦货物税) 在排水管来源电压给了 488 A/m 的产量电流密度(V ds )= 门来源电压(V gs )=2 V,相应于在传导力上每 244 S/m 的宽度。这些结果在 SWNT 的控制结构的生长证实特洛伊瞬间催化剂的潜在的应用的宽范围。 | Lixing Kang Yue Hu Hua Zhong Jia Si Shuchen Zhang Qiuchen Zhao Jingjing Lin Qingwen Li Zhiyong Zhang Lianmao Peng Jin Zhang | 2015 | Nano Research2015，8，11： | 5 |
| 3 | Metal-film-assisted ultra-clean transfer of single-walled carbon nanotubes显示文摘 | Yujun He Dongqi Li Tianyi Li Xiaoyang Lin Jin Zhang Yang Wei Peng Liu Lina Zhang Jiaping Wang Qunqing Li Shoushan Fan Kaili Jiang | 2014 | Nano Research2014，7，7： | 1 |
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