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| 1 | Ge-on-Si modulators operating at mid-infrared wavelengths up to 8 μm显示文摘We report mid-infrared Ge-on-Si waveguide-based PIN diode modulators operating at wavelengths of 3.8 and8 μm. Fabricated 1-mm-long electro-absorption devices exhibit a modulation depth of >35 dB with a 7 V forward bias at 3.8 μm, and a similar 1-mm-long Mach–Zehnder modulator has a Vπ· L of 0.47 V · cm. Driven by a 2.5 Vpp RF signal, 60 MHz on-off keying modulation was demonstrated. Electro-absorption modulation at 8 μm was demonstrated preliminarily, with the device performance limited by large contact separation and high contact resistance. | TIANTIAN LI MILOS NEDELJKOVIC NANNICHA HATTASAN WEI CAO ZHIBO QU CALLUM GLITTLEJOHNS JORDI SOLER PENADES LORENZO MASTRONARDI VINITA MITTAL DANIEL BENEDIKOVIC DAVID JTHOMSON FREDERIC YGARDES HEQUAN WU ZHIPING ZHOU GORAN ZMASHANOVICH | 2019 | Photonics Research2019，7，8： | 5 |
| 2 | 基于介电常数近零态和铟锡氧化物集成硅基波导的电光半加器显示文摘为了解决传统电光混合运算逻辑单元速率低、功耗高、尺寸大等问题,以实现电光混合高速运算,本文设计了一种基于介电常数近零态(Epsilon-Near-Zero)和铟锡氧化物(ITO)薄膜电调控的集成硅基波导电光混合半加器。利用ITO激活材料薄膜的电调控特性实现了光路通断和交叉,从而实现了两位二进制数的半加法功能,通过3D-FDTD模拟仿真对器件模型结构参数进行了优化设计。仿真实验结果表明,当施加电压为0 V和2.35 V时,器件能够完成光信号逻辑控制。电光混合半加器工作在1550 nm波长时,其插入损耗为0.63 dB,消光比为31.73 dB,数据传输速率为61.62 GHz,每字节消耗能量为13.44 fJ,整个半加器尺寸小于21.3μm×1.5μm×1.2μm。该器件具有结构紧凑、插入损耗低等特点,为高速电光混合光学逻辑器件及半加器设计提供了理论依据。 | 梁志勋 许川佩 朱爱军 胡聪 杜社会 | 2020 | 中国光学2020，13，5： | 1 |
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