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| 1 | 准二维铅基钙钛矿微纳激光器显示文摘近年来,钙钛矿材料及器件由于其优异的光电特性取得了巨大的研究进展。特别是准二维卤化物钙钛矿材料,因其具有激子结合能大、激子‑光子强耦合和稳定性好等优点,在光电器件领域显示出很大的应用潜力。此外,准二维钙钛矿中自发形成的量子阱结构允许激子能量从小n相转移到大n相,能够有效促进激子利用率和粒子数反转,这使得准二维钙钛矿材料能够成为激光器中的光学增益介质。本文首先介绍了准二维钙钛矿的晶体结构和优异的光学性能,进而总结了调节准二维钙钛矿晶相结构的几种策略。最后,回顾了准二维钙钛矿微纳激光器的发展,并对准二维钙钛矿材料和激光器件的研究进行了总结和展望。 | 汪俊 周奉献 李骞 胡智萍 杜鹃 刘征征 张泽宇 冷雨欣 | 2022 | 发光学报2022，43，11： | 2 |
| 2 | Golden hour for perovskite photonics显示文摘Halide perovskite semiconductors have emerged as promising candidates for the next-generation low-energy consumption,high-flexibility photonics and optoelectronic devices thanks to their superior optical and excitonic properties as well as fabrication convenience.This special issue,including three review papers and six original research papers,focuses on the studies of both fundamentals and applications of perovskite photonics,covering materials,excitonic properties,nonlinear optics,strong light–matter interactions,and optoelectronic devices. | QING ZHANG CAROLE DIEDERICHS QIHUA XIONG | 2020 | Photonics Research2020，8，12： | 1 |
| 3 | Identifying self-trapped excitons in 2D perovskites by Raman spectroscopy[Invited]显示文摘Two-dimensional(2D)perovskites exhibit broadband emission due to strong exciton–phonon coupling-induced self-trapped excitons and thus would find important applications in the field of white-light emitting devices.However,the available identifying methods for self-trapped excitons are currently rather limited and complex.Here,we identify the existence of self-trapped excitons by Raman spectroscopy in both excited and non-excited states.Under excited states,the shifting of the Raman peak indicates the presence of the lattice distortion,which together with the extra Raman scattering peak reveals the presence of self-trapped excitons.Our work provides an alternative simple method to study self-trapped excitons in 2 D perovskites. | 李俊泽 胡俊超 马佳琪 温兴林 李德慧 | 2021 | Chinese Optics Letters2021，19，10： | 1 |
| 4 | 聚合物包覆改善二维钙钛矿(FPEA)_(2)PbI_(4)光学性能显示文摘环境因素(如光照、水蒸气、氧气等)会引发二维钙钛矿材料的降解,其稳定性极大地限制该材料的进一步发展及市场化进程。利用氟化物的强稳定性与疏水性,将其以含氟苯乙胺的形式引入二维钙钛矿的有机层,可以有效地改善二维钙钛矿稳定性,但是荧光效率有所降低。针对这一问题,本文采用聚苯乙烯(PS)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、环烯烃聚合体(COP)三种高分子聚合物对二维钙钛矿薄膜进行包覆,使其荧光强度分别得到2.2、1.3和1.4倍的改善,光照稳定性分别得到3.3、3.1和3.9倍的提升,并进一步验证湿度稳定性。该研究为二维钙钛矿薄膜在光电器件上的开发提供了新思路。 | 马鹏飞 徐公杰 | 2022 | 光学仪器2022，44，5： | 1 |
| 5 | 高分子聚合物封装对(PEA)_(2)PbI_(4)荧光稳定性的改善显示文摘采用聚苯乙烯(PS)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、环烯烃聚合体(COP)三种高分子聚合物封装技术改善二维钙钛矿((PEA)_(2)PbI_(4))薄膜荧光的稳定性。将液相合成获得的二维钙钛矿用PS、PMMA、COP三种高分子聚合物进行封装,研究结果表明,三者分别对二维钙钛矿实现3倍、4倍与8倍的稳定性改善,有效地减弱了光照引发的晶格畸变,降低了有机分子的扩散与挥发,从而减缓了二维钙钛矿的降解。该方法简单、成本低,是一种改善二维钙钛矿荧光稳定性的有效方法。 | 庄园 徐公杰 | 2021 | 光学仪器2021，43，5： | 1 |
| 6 | 基于卤化物钙钛矿的法布里-珀罗微腔中激子极化激元(特邀)显示文摘当激子与腔光子间的相互作用强于激子和腔光子的衰减时,激子能级与腔模之间产生强耦合,形成的准粒子被称为激子极化激元。激子极化激元有效质量小,同时具有较强的非线性,在慢光和低功耗发光器件等方面具有巨大的应用前景。传统Ⅲ-Ⅴ族无机半导体材料激子束缚能较弱,而有机半导体材料非线性系数较小等问题限制着室温条件下激子极化激元的应用。卤化物钙钛矿材料具有高吸收系数、长扩散长度、高缺陷容忍度以及低非辐射复合率等一系列优异的光电性质,并且具有高的激子束缚能和振子强度,成为研究光与物质强相互作用的理想材料。文中从卤化物钙钛矿结构和法布里-珀罗(Fabry-Pérot,F-P)微腔类型两方面介绍了近年来卤化物钙钛矿与F-P微腔强耦合在激子极化激元方面的研究进展。首先回顾了极化激元的研究背景和卤化物钙钛矿的基本光电特性,其次介绍了三维钙钛矿和二维层状钙钛矿各自的特点以及与F-P微腔强耦合的相关研究,随后对钙钛矿的自构型和非自构型F-P微腔激子极化激元的调控与相关应用进行了讨论,最后总结和展望了卤化物钙钛矿激子极化激元面临的挑战以及未来研究方向。 | 朱卓亚 张帅 杜文娜 张青 刘新风 | 2021 | 红外与激光工程2021，50，11： | 0 |
| 7 | Spectroscopy and carrier dynamics of one-dimensional nanostructures显示文摘In recent years,one-dimensional(1D)nanomaterials have raised researcher's interest because of their unique structur-al characteristic to generate and confine the optical signal and their promising prospects in photonic applications.In this re-view,we summarized the recent research advances on the spectroscopy and carrier dynamics of 1D nanostructures.First,the condensation and propagation of exciton-polaritons in nanowires(NWs)are introduced.Second,we discussed the properties of 1D photonic crystal(PC)and applications in photonic-plasmonic structures.Third,the observation of topological edge states in 1D topological structures is introduced.Finally,the perspective on the potential opportunities and remaining chal-lenges of 1D nanomaterials is proposed. | Yutong Zhang Zhuoya Zhu Shuai Zhang Xianxin Wu Wenna Du Xinfeng Liu | 2022 | Journal of Semiconductors2022，43，12： | 0 |
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