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| 1 | 铁电钾钠铌酸锶钡薄膜电光性能的研究显示文摘采用溶胶_凝胶法在氧化镁单晶衬底上制备了符合化学计量比的完全填充型铁电钾钠铌酸锶钡(KNSBN)薄膜,通过X射线衍射,摇摆曲线,X射线Φ扫描,扫描电子显微镜等方法研究了薄膜的微结构,采用Adachi法研究了薄膜的电光特性.实验发现,KNSBN薄膜在氧化镁(001)单晶衬底上沿c轴外延生长,K+,Na+的引入有效地提高了薄膜的横向电光系数r51.成分为K0.2Na0.2Sr0.24Ba0.56Nb2O6,K0.2Na0.2Sr0.6Ba0.2Nb2O6,K0.2Na0.2Sr0.72Ba0.08Nb2O6的三种KNSBN薄膜的r51值分别为108.52pm/V,119.98pm/V,126.96pm/V,r51的数值随Sr2+含量增加而增大. | 康祥喆 叶辉 | 2006 | 物理学报2006，55，9： | 3 |
| 2 | 以MgO为缓冲层的硅基铌酸锶钡薄膜取向特性与其波导结构的设计研究显示文摘采用溶胶 -凝胶法在Si(1 0 0 )基片上制备出择优取向的MgO薄膜 ,随后在其上生长出具有择优取向的铌酸锶钡铁电薄膜 实验发现 ,MgO缓冲层的应用可以大大提高SBN薄膜的择优取向性能 同时 ,用五层对称理想波导耦合模理论 ,以SBN为波导层 ,分析了波导损耗与厚度的关系 通过对计算出的理想结果与实际相结合 ,以及对SBN在生长过程工艺与损耗关系的研究 ,制备出高质量、低损耗的SBN薄膜 。 | 曹晓燕 叶辉 | 2004 | 光子学报2004，33，3： | 2 |
| 3 | 铁电SBN薄膜电光系数的测量及其在波导中的应用显示文摘 利用溶胶凝胶法在MgO(001)衬底上获得C轴择优取向的铁电铌酸锶钡(SBN)薄膜,主要介绍MgO(001)衬底上SBN60薄膜及掺入的K离子与Nb离子摩尔比例为1∶3的SBN60薄膜横向电光系数r51的测量,实验测得不掺K的SBN60薄膜r51值为37.6 pm/V,掺K的r51值为58.5 pm/V。并由此设计一种基于MgO(001)衬底上的马赫曾德尔型SBN60薄膜波导调制器,计算出在633 nm时,掺K比例为1∶3的此种波导调制器半波调制电压值为10 V,不掺K的半波电压值为16 V,结果说明掺入K离子能增加薄膜的横向电光系数并有效的减少波导的半波调制电压。 | 沈智如 叶辉 沈伟东 曹晓燕 郭冰 | 2005 | 光学学报2005，25，1： | 1 |
| 4 | SBN60铁电薄膜横向电光系数及M-Z波导半波电压的研究显示文摘主要介绍MgO衬底上掺K和不掺K的SBN60铁电薄膜的横向电光系数r51的测量,并由此设计一种MgO衬底上M-Z型薄膜波导调制器,并计算出此种波导调制器的半波调制电压,实验说明掺入K离子能减少其半波调制电压。 | 沈智如 叶辉 沈伟东 曹晓燕 郭冰 邹桐 | 2004 | 光学仪器2004，26，2： | 0 |
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